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功放场效应管,功放MOS管,6165场效应管参数资料-KIA MOS管
KNF6165B场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，符合RoHS标准，适用于音响功放、适配器、充电器和SMPS备用电源等多种应用场景，RDS（ON）典型值为0.75Ω，在VGS为10V时性能出色，低栅极电荷的最小化设计有效降低开关时的损耗，配备快速恢复体二极管，在电路切...www.kiaic.com/article/detail/5000.html 2024-06-04
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光伏逆变器,锂电保护板mos管,1906场效应管现货-KIA MOS管
KNP1906B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（开）在VGS=10V时为2.7m?，在电源、光伏逆变器和锂电保护板等应用中具有出色的性能表现；1906场效应管采用无铅和绿色材料制造，符合环保要求，低RDS最大限度地减少导电损耗，提高整体效率，高雪崩电流，保...www.kiaic.com/article/detail/4997.html 2024-06-03
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mosfet制造工艺,场效应管制造工艺介绍-KIA MOS管
1.晶圆制备硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子（尤其是石英）最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(SiO?)的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。www.kiaic.com/article/detail/4995.html 2024-06-03
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储能电源,充电桩mos管3308,KNB3308A场效应管参数-KIA MOS管
KNB3308A场效应管是一款漏源击穿电压80V，漏极电流80A的出色器件，RDS（ON）值为6.2mΩ（在VGS=10V时为典型值），优异的低导通电阻特性能够降低导通损耗，还具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安全可靠性。www.kiaic.com/article/detail/4994.html 2024-05-31
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3006场效应管参数,3006mos管参数引脚图,120A 68V-KIA MOS管
KNX3006A是一款高坚固性的场效应管，漏源击穿电压68V，漏极电流120A，表现出优秀的性能；RDS（ON）=5.8mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷（107nC），经过改进的dv/dt能力测试，表现出卓越的稳定性和可靠性，100%的雪崩测试，确保可靠性和耐久性。www.kiaic.com/article/detail/4988.html 2024-05-29
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3106场效应管参数,引脚图中文资料,3106MOS管现货-KIA MOS管
KNX3106N场效应管具有漏源击穿电压高达60V和漏极电流可达110A的强大特性，RDS（ON）在VGS为10V时表现出色，仅为7mΩ（典型值），表现出卓越的导通能力；采用了专有新型平面技术，能够实现快速切换，提高系统效率、经过100%雪崩测试，保证了器件的稳定性和可靠性...www.kiaic.com/article/detail/4985.html 2024-05-28
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2213场效应管,参数引脚图,2213MOS管中文资料-KIA MOS管
KCX2213A场效应管是一款具有高坚固性的SGT MOSFET技术产品，漏源击穿电压135V，漏极电流可达200A，表现出优秀的性能；RDS（ON）仅为2.9mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷（151nC），经过改进的dv/dt能力测试，表现出卓越的稳定性和可靠性，100%的雪崩测试...www.kiaic.com/article/detail/4982.html 2024-05-27
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2920MOS管现货,2920场效应管参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
KCX2920K场效应管是一款具有SGT MOSFET技术的优质器件，采用新型沟槽技术，漏源击穿电压200V，漏极电流130A，表现出色；RDS（ON）为9.8mΩ（典型值）@VGS=10V，在低栅极电荷情况下最小化开关损耗，快速恢复体二极管，能够在DC-DC转换器中发挥重要作用。www.kiaic.com/article/detail/4979.html 2024-05-24
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3303MOS管,3303场效应管参数引脚DFN3*3,原厂现货-KIA MOS管
KNG3303C场效应管是一款性能优越的器件，漏源击穿电压30V，漏极电流90A，具有极低的导通电阻，RDS(ON)仅为2.6mΩ(typ.)@VGS=10V；在PWM应用和负载开关中表现出色，为电源管理提供了强大支持，还具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力，保证了稳...www.kiaic.com/article/detail/4976.html 2024-05-23
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7P03参数引脚,7P03场效应管,PMOS管KIA7P03A-KIA MOS管
KIA7P03A功率场效应管采用先进的高密度沟槽技术，拥有优异的性能表现，电流能力为-7.5A，电压为-30V，典型的导通电阻RDS（ON）为18mΩ，在栅源电压为10V时；7P03场效应管具有超低的栅极电荷，可以在电路中发挥重要作用，还具有优良的CDV/dt效应递减，采用绿色环...www.kiaic.com/article/detail/4973.html 2024-05-22
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9435参数及引脚,9435场效应管参数,9435mos管-KIA MOS管
9435场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-5.3A，RDS（开）=50mΩ（典型值）@VGS=-10V，超低栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降提升整体性能。9435mos管封装形式：SOP-8，散热效果良好，适用于各种应用场景。www.kiaic.com/article/detail/4970.html 2024-05-21
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4953场效应管参数,4953参数引脚图,PmosKIA4953-KIA MOS管
KIA4953场效应管具有出色性能，漏源击穿电压-30V，漏极电流-5.3A，表现出优异的电气特性；当Vgs为-10V时，其RDS(on)为54mΩ，而当Vgs为-4.5V时，其RDS(on)为84mΩ，显示出在不同工作条件下的电阻特性。www.kiaic.com/article/detail/4967.html 2024-05-20
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7306MOS管,7306场效应管参数引脚图,SOP-8封装-KIA MOS管
7306场效应管采用先进的高电池密度沟槽技术，漏源击穿电压60V，漏极电流22A，RDS（ON）= 5.5mΩ（典型值）@VGS =10V，表现出卓越的导通能力，超低栅极电荷，在工作时能够更加高效，优良的Cdv/dt效应下降，提升整体性能，封装形式：SOP-8，散热效果良好，使用安...www.kiaic.com/article/detail/4964.html 2024-05-17
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6706MOS管,6706场效应管,参数引脚图规格书-KIA MOS管
KIA6706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流18A，额定RDSON为7.5mΩ（在VGS=10V时），表现稳定可靠，具有超低的门电荷，在工作时能够更加高效，还具有Cdv/dt效应下降的特点，有助于减少电路中的不稳定因素，提升整体性能，KIA6706A是一款具有先进技术和优秀性能...www.kiaic.com/article/detail/4961.html 2024-05-16