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7n60参数及代换,7n60场效应管参数,7n60参数引脚图-KIA MOS管
KIA7N60H场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7A，能够在高压应用中表现出色；RDS（打开）=1.0? @ VGS=10V，具有较低的导通电阻，能够有效降低功耗和提高效率；能够替代仙童、UTC等品牌7N60型号场效应管进行使用；KIA7N60H封装形式： TO-263、262、220、220F多...www.kiaic.com/article/detail/4798.html 2024-02-27
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4n60场效应管参数代换,开关电源适配器专用MOS管-KIA MOS管
KIA4N60H场效应管漏源电压600V，漏极电流4A，RDS（ON）=2.3Ω@VGS=10V；具备低栅极电荷（典型值为13.5nC）最小化开关损耗，高坚固性，快速切换能力，指定雪崩能量，改进的dv/dt能力，能够稳定可靠地工作，提供更高效的性能。KIA4N60H场效应管广泛应用于LED、开...www.kiaic.com/article/detail/4789.html 2024-02-22
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30n50场效应管参数,代换,8150A场效应管30A 500V-KIA MOS管
KNH8150A场效应管采用高级平面工艺，漏源电压500V，漏极电流30A，RDS（ON）=150mΩ（典型值）@VGS=10V；具备低栅极电荷最小化开关损耗，能够稳定可靠地工作，加固多晶硅栅极结构，提供了更高效的性能表现。www.kiaic.com/article/detail/4786.html 2024-02-21
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15n50参数及代换,15n50场效应管参数,KNX6650A-KIA MOS管
高压MOS管KNX6650A采用专有平面新技术，参数为500V 15A，RDS（ON），典型值=0.33Ω@VGS=10V，具有低栅电荷最小开关损耗、快速恢复体二极管等特性，能够替代仙童的15n50场效应管，性能卓越、性价比高；特别适用于开关电源、LED驱动等领域，能有效地控制电流和电...www.kiaic.com/article/detail/4783.html 2024-02-20
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13n50场效应管参数,13n50场效应管代换-KIA MOS管
KIA13N50H场效应管参数13A 150V，RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v；具有低栅极电荷（典型的45nc）、快速切换的能力、雪崩能量、改进的dt／dt能力等特性，这款场效应管适用于电子镇流器、DC-AC电源转换器、DC-DC电源转换器、高压H桥PMW马达驱动、500W逆变器后级电...www.kiaic.com/article/detail/4780.html 2024-02-19
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9n50场效应管参数,代换,KIA4750S引脚图参数-KIA MOS管
KIA4750S场效应管具有稳定可靠的性能，漏源电压为500V，漏极电流为9.0A，它的RDS(on)为0.7Ω，在VGS = 10 V时能够产生较低的电阻。这款场效应管还具有低栅电荷特性，能够最小化开关损耗。此外，它还配备了快速恢复体二极管，加强了其性能表现，KIA4750S封装形式...www.kiaic.com/article/detail/4777.html 2024-02-18
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irf840参数引脚图,irf840场效应管代换,KIA840中文资料-KIA MOS管
KIA840场效应管具有500V 8A的参数，能够满足高压高电流的需求。这款场效应管的RDS（ON）参数仅为0.7Ω（典型值）在VGS=10V时，这意味着它具有非常低的电阻，能够有效降低能量损耗。KIA840场效应管能够代换irf840型号进行使用，KIA840封装有TO-252、TO-263、TO-...www.kiaic.com/article/detail/4774.html 2024-02-04
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irf830场效应管参数,引脚图,830场效应管参数代换-KIA MOS管
HD安定器热销型号KIA830场效应管具有漏源电压高达500V和漏极电流达到5A的强大性能，其开启状态下的电阻为1.0Ω，能够提供稳定可靠的电流流动。KIA830场效应管封装形式有：TO-220、TO-252两种www.kiaic.com/article/detail/4771.html 2024-02-03
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irf3205,80nf70场效应管,KNX3206A参数,引脚图,代换-KIA MOS管
KNX3206A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流110A，RDS（ON）=6.5mΩ（典型值）@VGS=10V，低RDS（ON）以最大限度地减少导电损耗，能够替代irf3205以及80nf70型号进行使用，用于快速开关应用的低栅极电荷，优化的BVDSS能力。封装形式：TO-252、TO-263、TO-220、T...www.kiaic.com/article/detail/4711.html 2024-01-08
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nce30h15k参数,引脚图,nce30h15k代换,KIA2803A-KIA MOS管
KIA2803A场效应管采用沟槽加工工艺设计，实现极低的导通电阻，漏源击穿电压30V，漏极电流150A，RDS(on)=2.2mΩ@VGS=10V，提供低栅极电荷的优异RDS（ON），KIA2803A能够替代nce30h15k型号进行使用，封装形式：TO-220，TO-263。www.kiaic.com/article/detail/4705.html 2024-01-08
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30h10k场效应管参数引脚图,代换,LED,保护板mos选型-KIA MOS管
KND3203B场效应管采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术，漏源击穿电压30V，漏极电流100A，RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V，提供低栅极电荷的优异RDS（ON），能够替代30h10k型号进行使用，封装形式：TO-252，在锂电池保护板、小功率LED等领域热销，高效率低损耗。www.kiaic.com/article/detail/4702.html 2024-01-03
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9014,9014参数与管脚图,9014代换,引脚图-KIA MOS管
9014是一种常见的三极管，是低功耗低噪声晶体管，为NPN极性，集电极稳定工作在4.5~18V之间，在其直流电流下，其最大收益率可以达到200。可代换的型号：国产的3dg120、3dg12，美国产的2n2222、日本产的2sc943-3sc945等很多型号，基本是只要是npn型小功率管都可直...www.kiaic.com/article/detail/4700.html 2024-01-03
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nce3080k场效应管参数,nce3080k代换,保护板热销KNX3403A-KIA MOS管
锂电池保护板热销场效应管KNX3403A采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅极电荷的优异RDS（ON），KNX3403A漏源击穿电压30V，漏极电流85A，可以替代新洁能nce3080k进行使用，封装形式：TO-252、DFN5*6，在锂电池保护板、电动工具等领域热销，高效可靠。www.kiaic.com/article/detail/4699.html 2024-01-02
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wsd30100dn56参数代换,保护板热销KIA3103A场效应管-KIA MOS管
KIA3103A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流110A，RDS（开启）=2.6mΩ@VGS=10V；低导通电阻、快速切换、100%雪崩测试、允许高达Tjmax的重复雪崩，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗等特性，满足RoHs和绿色产品的要求，确保锂电池保护板的性能稳定可靠。www.kiaic.com/article/detail/4696.html 2023-12-29