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ru6888r场效应管参数,ru6888r场效应管代换,3508A-KIA MOS管
ru6888r场效应管代换KNX3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流为70A，RDS（ON）=7.5mΩ（典型值）@ VGS=10v；KNX3508A 80V 70A场效应管具有100%雪崩测试，可靠、坚固耐用，无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）等特性，高效优质。www.kiaic.com/article/detail/4639.html 2023-12-04
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TPH2R608NH参数,tph2r608nh场效应管代换KIA2807N-KIA MOS管
KIA2807N场效应管漏源击穿电压75V，漏极电流为150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V；KIA2807N 75V 150A采用超高密度电池设计；超低导通电阻、100%雪崩测试、可提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）；封装形式：TO-247。www.kiaic.com/article/detail/4636.html 2023-12-01
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70n08场效应管参数,70n08场效应管代换,低压MOS管-KIA MOS管
70n08场效应管代换?KIA3407A漏源击穿电压70V，漏极电流为80A，VDSS=70V/ VGSS=+25V/ID=80A,,RDS(ON)=10.8m?(Max.)@VGS=10V；采用KIA半导体的先进的沟槽工艺技术生产；封装形式：TO-263/220。www.kiaic.com/article/detail/4633.html 2023-12-01
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ncep60t20参数,ncep60t20代换,60V 200A现货直销-KIA MOS管
ncep60t20代换场效应管KNX1906漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为230A；RDS (on) = 2.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX1906具有无铅绿色设备、降低导电损耗、高雪崩电流等特性，最大限度地减少导通电阻，可提供最高效的高频开关性能。www.kiaic.com/article/detail/4630.html 2023-11-29
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irf3205场效应管,3205场效应管参数,irf3205场效应管代换-KIA MOS管
irf?3205场效应管代换KNX3206A漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为110A；RDS (on) = 6.5mΩ(typ)@VGS =10V。KNX3206A具有低RDS（ON)以减小导电损耗、低门电荷在快速开关中的应用、优化的BVDSS性能等特性，导通电阻极低，适用于逆变器、电机速度控制器、DC-DC 转...www.kiaic.com/article/detail/4627.html 2023-11-28
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hy1603参数,hy1603引脚图,hy1603场效应管代换-KIA MOS管
hy1603场效应管代换KNX3403A漏源击穿电压30V，漏极电流最大值为85A；RDS (on) = 4.5mΩ(typ)@VGS =10V。KNX3403A具有无铅绿色设备、降低导电损耗、高雪崩电流等特性，最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能。www.kiaic.com/article/detail/4624.html 2023-11-27
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RU6070L场效应管参数,RU6070L场效应管代换3506A-KIA MOS管
KIA3506A漏源击穿电压60V，漏极电流为70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；具有超低电阻、高UIS和UIS 100%测试；KIA3506A可以代换RU6070L、CEP6086、STF140N6F7等锐骏、CET华瑞、ST意法半导体品牌场效应管型号进行使用，国产原厂直销高性价比。www.kiaic.com/article/detail/4621.html 2023-11-24
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50n06,50n06场效应管参数,50n06场效应管代换-KIA MOS管
低内阻MOS管KIA50n06漏源击穿电压60V，漏极电流为50A，RDS(on) =10.5m@ VGS =10V；具有低Rds开启，可将传导损耗降至最低、高雪崩电流等特点；KIA50n06可以代换SQD50N06、FQP50N06等威世、仙童品牌场效应管型号进行使用，优质国产原厂直销。www.kiaic.com/article/detail/4618.html 2023-11-23
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25n06参数,2n60场效应管参数,25n06代换-KIA MOS管
低压小功率MOS管KIA30N06B漏源击穿电压60V，漏极电流为25A，RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V；先进的高密度沟槽技术制造，封装形式：TO-251/252。KIA30N06B3场效应管可以代换RU60E25L、RJK0651DPB、CS25N06B4、NCE60P25K、25n06、FQB30N06L场效应管型号进行使用，优质...www.kiaic.com/article/detail/4615.html 2023-11-22
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09n03场效应管参数,09n03la代换,KIA100N03-KIA MOS管
KIA100N03场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V；KIA100N03场效应管非常适合应用于小功率LED、锂电池保护板等产品领域，KIA100N03场效应管可以代换IR8726、09N03、30H10K场效应管型号进行使用。www.kiaic.com/article/detail/4612.html 2023-11-21
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p06p03lvg场效应管参数引脚图,p06p03lvg代换-KIA MOS管
KIA7P03A场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流为-7.5A；采用先进的高密度沟槽技术，具有超低栅电荷、优良的CDV / dt效应递减等；封装形式：SOP-8。KIA7P03A场效应管非常适合应用于锂电池保护板、智能医疗等产品领域，KIA7P03A场效应管可以代换NIKO-SEM(尼克森) ...www.kiaic.com/article/detail/4609.html 2023-11-20
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si2306场效应管参数,2306场效应管参数代换-KIA MOS管
2306场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为3.5A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。2306场效应管非常适合应用于LED感应灯、玩具、蓝牙音箱等产品领域，2306场效应管能够替代VISHAY(威世)、时科、CJ、新洁能产品型号进行使...www.kiaic.com/article/detail/4606.html 2023-11-17
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2302场效应管参数引脚图,2300场效应管代换,LED感应灯-KIA MOS管
KIA2302漏源击穿电压20V，漏极电流为3A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。KIA2302 20V 3A 0.065Ω SOT-23场效应管MOSFET能够匹配2300场效应管代换使用。www.kiaic.com/article/detail/4595.html 2023-11-13
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3401场效应管代换,3401mos管规格书,SOT23-KIA MOS管
3401场效应管漏源电压-30V，漏极电流为-4A，3401采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(on)，低栅极电荷工作电压低至2.5V。该器件适用于作为负载开关或PWM应用程序。www.kiaic.com/article/detail/4592.html 2023-11-10