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irfp260场效应管参数,irfp260代换,逆变器MOS管-KIA MOS管
KNX9120A是一款性能出色的场效应管，能够替代irfp260型号使用，KNX9120A采用专有的新平面技术，漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS（开）典型值=50mΩ@VGS=10V；具有低门电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管等特性。www.kiaic.com/article/detail/4687.html 2023-12-26
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irf730场效应管参数,irf730参数及代换,PDF中文资料-KIA MOS管
irf730场效应管可以使用KIA730H这一款漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS(ON)，typ.=0.83Ω@VGS=10V，性能出色的N沟道增强型硅栅极功率MOSFET替代，专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关电源、逆变器、螺线管、电机驱动器、开关转换器。www.kiaic.com/article/detail/4681.html 2023-12-22
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irf740场效应管参数代换,irf740引脚图,KNX6140A-KIA MOS管
KNX6140A场效应管采用专有平面新技术，漏源击穿电压400V，漏极电流10A，RDS(ON)，typ.=0.35Ω@VGS=10V；KIA6720N可以代换irf740型号使用，具有较低的导通电阻、优越的开关性能、极高的雪崩击穿耐量，可最大限度地减少导通损耗。www.kiaic.com/article/detail/4678.html 2023-12-21
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IRF640场效应管参数,代换,KIA6720N中文资料-KIA MOS管
KIA6720N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；KIA6720N可以代换IRF640型号使用，封装形式：TO-220，低热阻和低成本，便于安装和使用。www.kiaic.com/article/detail/4675.html 2023-12-20
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irf630场效应管参数,irf630参数及代换,irf630引脚图-KIA MOS管
KIA4820N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流9A，RDS（ON）=260mΩ@VGS=10V；KIA4820N可以代换irf630型号使用，封装形式：TO-220、TO-252便于安装和使用，高效稳定。www.kiaic.com/article/detail/4672.html 2023-12-20
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AOD4454参数,aod4454参数及代换,KNX7115A-KIA MOS管
KNX7115A场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流20A，RDS(on)=77mΩ@VGS=10V；KNX7115A能够代换aod4454型号，在LED驱动等领域热销，封装形式：TO-252、TO-251。www.kiaic.com/article/detail/4669.html 2023-12-18
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AON6450参数代换,引脚图,KIA4810A中文资料-KIA MOS管
KIA4810A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流9A，RDS（ON）=20mΩ@VGS=10V；KIA4810A场效应管100V 9A能够代换AON6450型号，这种通用技术非常适合无线充、无人机方案应用，SOP-8封装高效稳定。www.kiaic.com/article/detail/4666.html 2023-12-15
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NCE0106R参数,NCE0106R代换,场效应管KIA4610A-KIA MOS管
KIA4610A是采用先进的高单元密度沟槽式N沟MOSFET，漏源击穿电压100V，漏极电流7.5A，RDS(on)=16mΩ(typ)@VGS=10V，以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)，降低开关损耗、高效可靠，KIA4610A能够代换NCE0106R型号，广泛在开关、逆变器、电动工具、保护板应用领域热销，...www.kiaic.com/article/detail/4660.html 2023-12-13
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irfb4710场效应管参数,irfb4710场效应管代换,KIA3510A-KIA MOS管
KIA3510A漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（打开）=14mΩ（max）@VGS=10V，具有低栅极-漏极电荷可降低开关损耗、100%雪崩测试、可靠且坚固、提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）等特性；KIA3510A 75A 100V场效应管能够代换irfb4710型号，广泛应用于逆变器、...www.kiaic.com/article/detail/4657.html 2023-12-12
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nce0117k参数,nce0117k代换,KIA6110A中文资料-KIA MOS管
KIA6110是性能出色的沟槽N沟道MOSFET，先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压100V，漏极电流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，具有超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应设计等特性，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。KIA6110A 12A 100V场效应...www.kiaic.com/article/detail/4654.html 2023-12-11
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ss510二极管参数,ss510二极管代换-KIA MOS管
SS510是肖特基二极管，由硅材料制成，封装SMA/SMB/SMC，其比较突出的特点是，正向压降低，反向恢复时间极短，具有较低的反向漏电流和快速的开关速度，通常被用于高速开关电路和高效能量转换器等应用中。www.kiaic.com/article/detail/4650.html 2023-12-08
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NCE01P30K参数及代换,NCE01P30K引脚资料PDF-KIA MOS管
NCE01P30K代换场效应管KIA35P10A是一款电机驱动专用MOS管，采用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的RDS（ON）和栅极电荷。KIA35P10A漏源击穿电压-100V, 漏极电流-35A ,RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式：TO-252。www.kiaic.com/article/detail/4648.html 2023-12-07
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nce01p18k参数及代换,nce01p18k引脚图,KIA23P10A-KIA MOS管
nce01p18k参数代换KIA23P10A场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流为-23A，RDS（ON）=78mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA23P10A采用先进的沟槽MOSFET技术，提供出色的RDS（ON）和栅极电荷，广泛应用电动车报警器、开关等领域。www.kiaic.com/article/detail/4645.html 2023-12-06
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NCE80H16代换,NCE80H16参数,保护板逆变器场效应管-KIA MOS管
NCE80H16代换KIA2808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流为150A，RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA2808A场效应管具有100%雪崩测试，无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）等特性，封装形式：TO-263、220、247、3P，广泛应用于锂电池保护板、控制器、逆变...www.kiaic.com/article/detail/4642.html 2023-12-05