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锂电池保护板,80v130a场效应管,2908mos管,KNP2908C-KIA MOS管
KNP2908C场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流130A ，采用KIA的先进技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，低栅极电荷（典型值182nC)，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；具有快速的开关时间、出色的雪崩特性，高效稳定；高耐用性、改进的dv/dt能力、1...www.kiaic.com/article/detail/5747.html 2025-06-24
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逆变器电源管理,150a80vmos管,KNM2808A场效应管参数-KIA MOS管
KNM2808A场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ，RDS（ON）值为4mΩ，极低RDS（ON）和优秀栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；高输入阻抗、低功耗、开关速度快，高效稳定；100%雪崩测试，可靠且坚固，无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），在...www.kiaic.com/article/detail/5744.html 2025-06-23
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同步整流,60v100a,3206场效应管,KCY3206B参数-KIA MOS管
KCY3206B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流100A，使用先进的SGT MOSFET技术，高密度单元设计，实现?极低导通电阻RDS(on) 2.4mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，100% UIS测试通过、100%▽VDS测试通过，?高效稳定；适用于DC-DC转换器、电源管理功能、...www.kiaic.com/article/detail/5741.html 2025-06-20
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直流转换器mos管,80v240a,toll封装,1808场效应管-KIA MOS管
KCT1808A场效应管漏源击穿电压1500V，漏极电流3A，使用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(on) 1.25mΩ，优秀的栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，高效稳定；适用于电机控制和驱动、电池管理、DC/DC转换器等领域，采用TOLL封装，体积小、节省空间；热阻更小、散热...www.kiaic.com/article/detail/5738.html 2025-06-19
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pwm mos管应用,3306场效应管,KNB3306C参数-KIA MOS管
KNB3306C场效应管漏源电压68V，漏极电流80A，极低电阻RDS（ON）为6.5mΩ，最大限度地减少导通损耗，提高效率；低Crss、快速切换特性，实现快速切换电源，高效低耗；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；适用于PWM应用程序、电源管理、负载开关中；封...www.kiaic.com/article/detail/5732.html 2025-06-17
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电子负载mos管,30v90a,3303场效应管,KNY3303C-KIA MOS管
KNY3303C场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，采用先进的沟槽制造工艺，极低导通电阻RDS(开启) 2.6mΩ，减少导通损耗，高效低耗；低Crss、开关速度快，性能优越；100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，确保稳定性和可靠性；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等...www.kiaic.com/article/detail/5729.html 2025-06-16
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smps电源,4a1000v,KNF43100A场效应管参数手册-KIA MOS管
KNF43100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流4A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2Ω，低栅极电荷最小化开关损耗，在承受高电压和高电流方面表现出色?；低反向传输电容，?开关速度快，快速恢复体二极管，?高效率低损耗，符合RoHS标准?，稳定可靠；广泛应用于适...www.kiaic.com/article/detail/5726.html 2025-06-13
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音响功放mos管,60a250v场效应管,KNH3625A参数资料-KIA MOS管
KNH3625A场效应管漏源击穿电压250V，漏极电流60A，采用专有新型平面技术，?极低导通电阻RDS(开启) 45mΩ，低栅极电荷最小化开关损耗，性能优越；快速恢复体二极管、开关速度快，高效低耗、稳定可靠；广泛应用于DC-DC转换器、UPS DC-AC逆变器、开关电源和电机控...www.kiaic.com/article/detail/5723.html 2025-06-12
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pwm控制场效应管,30a40v电压,KNY8104A参数引脚图-KIA MOS管
KNY8104A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流30A，极低导通电阻RDS(开启) 12mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电流、低功耗、开关速度快，高效低耗；100%经雪崩测试、提高dv/dt能力，稳定可靠，环保无铅；广泛应用于PWM应用、电源管理、负载开关等；封装形式：DF...www.kiaic.com/article/detail/5669.html 2025-06-11
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电源管理mos管,30a40v,8104场效应管,KNS8104A参数-KIA MOS管
KNS8104A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流30A，极低导通电阻RDS(开启) 12mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电流、低功耗、开关速度快，高效低耗；100%经雪崩测试、提高dv/dt能力，稳定可靠，环保无铅；广泛应用于PWM应用、电源管理、负载开关等；封装形式：SO...www.kiaic.com/article/detail/5720.html 2025-06-11
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mos管pwm,3303场效应管,KNG3303C参数资料-KIA MOS管
KNG3303C场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，极低导通电阻RDS(开启) 2.6mΩ，减少导通损耗、提高效率；低Crss、开关速度快，高效稳定；100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，确保稳定性和可靠性；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用场景；封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5717.html 2025-06-10
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充电器mos管,130a150v,KCP2915B场效应管参数资料-KIA MOS管
KCP2915B场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流130A，采用先进的SGT、沟槽MOS技术设计，高效率低损耗；极低导通电阻RDS(on) 7.3mΩ，低栅极电荷，可最大限度地减少导电损失；具有100% EAS保证，坚固可靠、绿色设备可用、优质环保；广泛应用于负载开关、LED应用、...www.kiaic.com/article/detail/5714.html 2025-06-09
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同步整流场效应管,130a85vmos管,KCD2908A参数手册-KIA MOS管
KCD2908A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术设计，极低导通电阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的栅极电荷，可最大限度地减少导电损失，高效低耗；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；广泛应用于电机驱动、SR...www.kiaic.com/article/detail/5708.html 2025-06-05
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电源转换器专用,400vmos管,KNP6140S场效应管参数-KIA MOS管
大功率场效应管KNP6140S漏源击穿电压400V，漏极电流11A，专为高压、高速功率开关应用设计；极低导通电阻RDS(on)=0.53Ω，低栅极电荷15.7nC，可最大限度地减少导电损失，高效低耗；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；广泛应...www.kiaic.com/article/detail/5705.html 2025-06-04