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场效应管4360参数,电源 充电器专用mos管,KNX4360A-KIA MOS管
KNX4360A场效应管是一款性能优越的器件，漏源击穿电压高达600V，漏极电流4.0A，RDS（ON）为1.9Ω（在VGS=10V，ID=2A时），表现出卓越的导通特性，这款场效应管具有快速切换能力，能在高频率下稳定工作，适合应用于高频开关电源、UPS、充电器以及电子镇流器等场...www.kiaic.com/article/detail/4919.html 2024-04-25
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什么是场效应管的沟道,n沟道和p沟道的区别-KIA MOS管
沟道是指场效应晶体管中源区和漏区之间的一薄半导体层。如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层。沟道--场效应管内部的导电路径，它连接了源极和漏极。当施加适当的电压或电流时，沟道将成为电子或空穴的主要传导路径。www.kiaic.com/article/detail/4917.html 2024-04-25
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30n03场效应管参数,30n03场效应管代换,30n03参数-KIA MOS管
KIA30N03B场效应管具备出色的性能参数，漏源击穿电压30V，漏极电流30A，采用先进的高细胞密度沟槽技术，具有超低的栅极电荷，RDS（开）参数为15m? @ VDS=30V，较低的导通电阻，有效减少能量损耗，出色的Cdv/dt效应下降，能够有效应对瞬态电压的变化，保障系统...www.kiaic.com/article/detail/4916.html 2024-04-24
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30n06参数代换,30n06场效应管参数,30n06引脚图中文资料-KIA MOS管
KIA30N06B场效应管是一款先进高密度沟槽技术的电子元件，漏源击穿电压60V，漏极电流25A，具有出色的性能指标，?在VDS为60V时，其RDS(on)仅为25mΩ，表现出超低的电阻特性、良好的Cdv/dt效应下降，为电路提供了更稳定的工作环境、100%的EAS保证具有更高的可靠性...www.kiaic.com/article/detail/4911.html 2024-04-22
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场效应管6035参数,大功率350V,开关电源MOS管KIA6035A-KIA MOS管
KIA6035A场效应管的漏源击穿电压高达350V，漏极电流可达11A，适用于各种高压应用场合，RDS（ON）仅为0.38Ω，在10V的VGS下表现出色、低栅极电荷，仅为15nC，有助于提高开关速度和效率、高坚固性和快速切换能力，能够在各种恶劣环境下稳定工作、还具有指定的雪崩...www.kiaic.com/article/detail/4908.html 2024-04-19
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4820场效应管参数引脚图,200V 9A,KNX4820B中文资料-KIA MOS管
KNX4820B场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流9A，采用了专有新型平面技术，是一款高性能的器件，RDS（ON），典型=250mΩ@VGS=10V，保证了稳定的工作状态、低栅极电荷的最小化设计，有效降低了开关损耗，提升了能效、配备快速恢复体二极管，有效提高器件的响应速...www.kiaic.com/article/detail/4905.html 2024-04-18
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40v pmos管,P40v MOS管,场效应管TO-252/DFN5X6-KIA MOS管
RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V漏极电流 (ID) ：-100A漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-40V栅极电荷（Qg）：115 nC功耗 (PDM) ：83Wwww.kiaic.com/article/detail/4902.html 2024-04-17
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P30v mos管,30V PMOS管,低压MOS场效应管,国产厂家-KIA MOS管
P30v MOS,KPE4403A参数引脚图漏极电流 (ID) ：-5.0A漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-30V栅极电荷（Qg）：6.5 nC功耗 (PDM) ：1.5WRDS(on)=40mΩ(typ)@ VGS=10 Vwww.kiaic.com/article/detail/4899.html 2024-04-16
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P60v MOS管,60V PMOS管,TO-252低压MOS管场效应管-KIA MOS管
P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A参数引脚图RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V漏极电流 (ID) ：-30A漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-60V功耗 (PDM) ：57W栅极电荷（Qg）：40 nCwww.kiaic.com/article/detail/4896.html 2024-04-15
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4665参数,4665场效应管,KNX4665B中文资料-KIA MOS管
KNX4665B场效应管具有高击穿电压、低导通电阻和低开关损耗等特点，漏源击穿电压高达650V，漏极电流7A，能够承受较大的电压压力、良好的导电性能，RDS（ON）的典型值为1.1Ω，在VGS=10V时能够实现较低的导通电阻，具有较高的工作效率，还能够实现低栅极电荷最小...www.kiaic.com/article/detail/4890.html 2024-04-11
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7610参数PDF手册,KIA7610A场效应管参数引脚图,25A 100V-KIA MOS管
KIA7610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流25A，RDS（开）=32mΩ，采用了先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻，提供杰出的性能、结工作温度175℃，具备较高的耐高温性能，适用于各种苛刻的工作环境、快速的开关速度在电路转换中能够迅速响应，确保电路效...www.kiaic.com/article/detail/4887.html 2024-04-10
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场效应管和mos管区别|场效应管和mos管怎么区分-KIA MOS管
场效应管-FET和MOS管-MOSFET在结构、工作原理和应用方面有所区别。场效应管(FET)是一个更广泛的概念，包括结型场效应管(JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(MOS-FET)；在MOS管(MOSFET)中，栅极由金属层(M)、氧化层(O)和半导体材料(S)组成，这种结构使得MOS管在低...www.kiaic.com/article/detail/4882.html 2024-04-09
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6n70场效应管参数,KIA6N70H大功率开关mos管-KIA MOS管
KIA6N70H场效应管漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A，RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V，具有低栅电荷（典型16NC）、高耐用性、快速切换和雪崩测试100%、具备提高dv/dt能力的特点，多种封装形式：TO-251、TO-252、TO-220F，方便应用。www.kiaic.com/article/detail/4881.html 2024-04-08
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2804场效应管参数,引脚图,150A 40V参数,KNX2804C-KIA MOS管
KNX2804C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流150A，采用先进的沟槽MOS技术，具有极低的导通电阻RDS（接通），能够实现高效的电路控制；2804场效应管RDS（ON）为3.0mΩ，在10V的VGS条件下表现出优异的性能，在电机控制、驱动系统、电池管理以及不间断电源等领域有...www.kiaic.com/article/detail/4878.html 2024-04-07