|
|
|
结果: 找到相关主题 972 个
-
50n06,50n06mos特价,50n06场效应管现货,KIA50N06CD-KIA MOS管
原厂特价场效应管KIA50N06CD漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用KIA半导体先进技术制造，通过优化工艺和单元结构设计，有效降低导通状态电阻，显著提升开关性能；极低导通电阻RDS(开启) 11mΩ，?高效低耗，?具有低栅极电荷、低交叉导通电流、快速开关、增强d...www.kiaic.com/article/detail/6258.html 2026-03-12
-
2908mos现货特价,2908场效应管批发,KNP2908D-KIA MOS管
原厂特价场效应管KNP2908D漏源击穿电压80V，漏极电流130A，采用专有的新型技术制造，具有更高的功率密度、效率和耐用性、更优的导通电阻和品质因数，?极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有输入阻抗高、开关速度快，以及卓越...www.kiaic.com/article/detail/6255.html 2026-03-11
-
2908mos场效应管特价,80v130a,KNB2908D现货促销-KIA MOS管
原厂特价场效应管KNB2908D漏源击穿电压80V，漏极电流130A，采用专有的新型技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有低栅极电荷，开关速度快，性能优越；?卓越的电气参数，高雪崩电流，能够承受高功率负载，稳定可靠、...www.kiaic.com/article/detail/6252.html 2026-03-10
-
3306mos,3306场效应管,原厂特价,60v80a,KNB3306C现货-KIA MOS管
原厂现货特价场效应管KNB3306C漏源电压68V，漏极电流80A，极低电阻RDS（ON）为6.5mΩ，最大限度地减少导通损耗，提高效率；具有低Crss、快速切换特性，提供卓越的开关性能；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；适用于PWM应用程序、电源管理、负载开...www.kiaic.com/article/detail/6249.html 2026-03-09
-
35P10mos,35P10场效应管,100v35a mos现货特价-KIA MOS管
原厂特价现货KIA35P10AD场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，采用KIA先进的沟槽技术制造，提供卓越的开关性能；低导通电阻RDS(开启) 32mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗；开关速度快、内阻低、?符合JEDEC标准，稳定可靠，广泛应用于电...www.kiaic.com/article/detail/6246.html 2026-03-06
-
2803mos管特价,2803场效应管批发,KND2803S现货促销-KIA MOS管
原厂现货特价型号KND2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低的导通电阻RDS(开启)2.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特性，稳定可靠；开关速度快、内阻低、耐冲击特性好，性能高效；...www.kiaic.com/article/detail/6243.html 2026-03-05
-
原厂特价3508场效应管,80v70a,to252,KND3508A现货-KIA MOS管
原厂现货特价型号KND3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流70A，极低导通电阻RDS(开启) 7.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；具有优越的开关性能，低功耗、开关速度快，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲，100%雪崩测试，稳定可靠；符合RoHS标准，...www.kiaic.com/article/detail/6240.html 2026-03-04
-
2803场效应管现货特价,30v150a场效应管,KIA2803AB-KIA MOS管
KIA2803AB场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，低栅极电荷，降低导通损耗与开关损耗；具有快速切换、100%雪崩测试、允许高达Tjmax的重复雪崩、抗冲击、抗过载能力强，环保无铅，符合RoHS标准，品质...www.kiaic.com/article/detail/6237.html 2026-03-03
-
2904场效应管现货特价,40v130a,KND2904A原厂直销-KIA MOS管
KND2904A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流130A，采用先进沟槽工艺制造，?极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有低跨导、开关速度快，高效低耗；以及100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠，广泛用于PWM应用、负载开关、...www.kiaic.com/article/detail/6234.html 2026-03-02
-
3404mos管特价,40v80a场效应管,KNY3404D现货速发-KIA MOS管
KNY3404D场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 5.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，开关速度快，内阻低，耐冲击特性好，高效率低损耗；还具有低栅极电荷、低反向传输电容、改进的dv/dt能力、100%雪崩测试，稳定...www.kiaic.com/article/detail/6231.html 2026-02-28
-
4n65场效应管,650v4a mos,KIA4N65HF参数引脚图-KIA MOS管
KIA4N65HF场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流4A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术制造，可显著降低导通电阻、提升开关性能，并在雪崩模式和换向模式下具备优异的高能脉冲耐受能力；具有低导通电阻RDS(开启) 2.5Ω，低栅极电荷16nC，高效低耗；以及高坚固性、?快...www.kiaic.com/article/detail/6228.html 2026-02-26
-
2n65场效应管,650v2a mos,KIA2N65HU参数引脚图-KIA MOS管
2n65场效应管?漏源击穿电压650V，漏极电流2A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术制造，可显著降低导通电阻、提升开关性能，并在雪崩模式和换向模式下具备优异的高能脉冲耐受能力；低导通电阻RDS(开启) 4.3Ω，低栅极电荷6.5nC，?高效低耗；具有高抗干扰能力、快速...www.kiaic.com/article/detail/6225.html 2026-02-11
-
2n60,2n60场效应管参数,600v2a场效应管,KIA2N60HF-KIA MOS管
KIA2N60HF场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流2A，专为高压、高速的功率开关应用而设计，?低导通电阻RDS(开启) 4.1Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷（典型值9nC），高效低耗?；具有高耐用性、快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，性能优越，...www.kiaic.com/article/detail/6222.html 2026-02-10
-
1n60场效应管参数引脚图,600v1a mos管,KIA1N60-KIA MOS管
1n60场效应管漏源电压600V，漏极电流1A，专为高压、高速功率开关应用设计，低导通电阻RDS(开启) 9.3Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷（典型值5.0nC），降低开关损耗，性能高效；具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力、高坚固性，稳定可靠；...www.kiaic.com/article/detail/6219.html 2026-02-09