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充电桩,80v80a mos,3308场效应管,KNB3308A参数-KIA MOS管
KNB3308A?场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，极低导通电阻RDS(开启) 6.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷、低交叉，开关速度快，高效低耗；具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安全可靠性，无铅和绿色设计，符合环保要求，...www.kiaic.com/article/detail/6079.html 2025-12-04
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28n50场效应管,500v28a,to-220f,KIA28N50HF参数-KIA MOS管
28n50场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，极低导通电阻RDS(开启) 0.16Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷、低交叉，开关速度快，高效低耗；100% 雪崩失效率、提高dv/dt能力、符合RoHS标准，稳定可靠；具有良好的开关特性，能够承受较大的耐压和电流，...www.kiaic.com/article/detail/6076.html 2025-12-03
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80v130a mos,2908场效应管参数,to263封装,KNB2908D-KIA MOS管
KNB2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，采用专有的新型技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，开关速度快，减少开关损耗，提高效率；具有卓越的电气参数，高雪崩电流，能够承受高功率负载，稳定可靠；无铅设...www.kiaic.com/article/detail/6073.html 2025-12-02
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30v80a mos,3080场效应管参数,to252,KND3080-KIA MOS管
KND3080是一款N沟道逻辑电平增强模式功率MOSFET，漏源击穿电压30V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术制造，提供卓越的开关性能；极低导通电阻RDS(开启) 4.3mΩ，最大限度地减少导电损耗，减少导通损耗，超低栅极电荷，高效低耗；CdV/dt效应显著下降、100% ΔVd...www.kiaic.com/article/detail/6070.html 2025-12-01
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电动车pmos,100v35a,35P10场效应管,KIA35P10AD参数-KIA MOS管
电动车报警器专用场效应管KIA35P10AD漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，采用KIA先进的沟槽技术制造，优秀的QgxRDS(on)产品(FOM)，提供卓越的开关性能；低导通电阻RDS(开启) 32mΩ，最大限度地减少导电损耗，减少导通损耗，低栅极电荷，高效低耗；符合JEDEC标准...www.kiaic.com/article/detail/6067.html 2025-11-28
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电池保护30v85a mos,3403场效应管,dfn5x6,KNY3403A-KIA MOS管
KNY3403A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流85A，采用KIA先进的沟槽技术，低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，减少导通损耗、提供卓越的开关性能；?具有开关速度快、高雪崩电流特性?，稳定可靠；提供无铅和绿色设备，品质优越?；广泛应用...www.kiaic.com/article/detail/6064.html 2025-11-27
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保护板mos,30v90a场效应管,KNY3303B参数引脚图-KIA MOS管
KNY3303B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，采用KIA先进的沟槽技术，特别针对减少导通损耗、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能脉冲进行了优化；低导通电阻RDS(开启) 2.6mΩ，最大限度地减少导电损耗，具有低交叉频率、开关速度快，高效低...www.kiaic.com/article/detail/6061.html 2025-11-26
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逆变器mos,400v10a场效应管,irf740代换,KNP6140A-KIA MOS管
KNP6140A场效应管漏源击穿电压400V，漏极电流10A，采用专有的新平面技术制造，?低导通电阻RDS(开启) 0.35Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅电荷，最小化开关损耗，开关速度快，高效低耗；快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能，提高器件的开关速度和效...www.kiaic.com/article/detail/6058.html 2025-11-25
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充电器mos,1000v2a,to220,KNP41100A场效应管参数-KIA MOS管
KNP41100A超高压场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流2A，低导通电阻RDS(开启) 9.6Ω，最大限度地减少导电损耗，超低栅极电荷，开关速度快，高效低耗；快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能，提高器件的开关速度和效率，稳定可靠，符合RoHS，环保无铅；...www.kiaic.com/article/detail/6055.html 2025-11-24
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bms电池管理mos,60v50a,to220,KNP3706A场效应管-KIA MOS管
KNP3706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用先进的高密度沟槽技术制造，为多数同步降压转换器应用提供优异的RDS（导通）和栅极电荷性能；具有极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ，最大限度地减少导电损耗，超低栅极电荷，开关速度快，高效低耗；100%EAS认证、...www.kiaic.com/article/detail/6052.html 2025-11-21
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电动车控制器mos,80v80a场效应管,KNP3308A参数引脚图-KIA MOS管
KNP3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，极低的导通电阻RDS(开启) 6.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安全可靠性，高效稳定；采用无铅和绿色设计，符合环保要求，广泛应用在电动车控...www.kiaic.com/article/detail/6049.html 2025-11-20
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逆变mos管,60v150a mos,to220,KNP2706A场效应管参数-KIA MOS管
KNP2706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流150A，?极低导通电阻RDS(开启) 2.8mΩ，最大限度地减少导电损耗、低栅极电荷，高效低耗，快速开关切换，性能优越；?具有?高坚固性、100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；适用于PWM应用、负载开关、电源管...www.kiaic.com/article/detail/6046.html 2025-11-19
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无刷电机mos,80v190a,2408场效应管,KNP2408A参数-KIA MOS管
KNP2408A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流190A，采用先进的沟槽技术制造，高密度电池设计?，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷，高效低耗；极?低导通电阻RDS(on) 3.7mΩ，能够最大限度地减少导电损耗；具有完全表征的雪崩电压和电流、稳定性和均匀性好，EAS...www.kiaic.com/article/detail/6043.html 2025-11-18
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电源适配器mos,1200v12a,KNM63120A场效应管参数-KIA MOS管
KNM63120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流12A，开关速度快，高效稳定；低导通电阻RDS(on) 1.2Ω，能够最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷最小化开关损耗；具有快速恢复体二极管，防止反向电压击穿、提供续流保护、降低导通损耗，以及在高频开关中提升效率...www.kiaic.com/article/detail/6040.html 2025-11-18