2803场效应管参数,30v150a mos,to220封装,​KNP2803A-KIA MOS管

KNP2803A场效应管漏源电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导通损耗，低栅极电荷，快速切换，?高效低耗；改进的dv/dt能力、100%雪崩测试和改进的重复雪崩额定值，无铅，符合RoHS标准，稳定可靠...

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www.kiaic.com/article/detail/6125.html         2025-12-25

2803场效应管参数,30v150a,to252,​KND2803B原厂现货-KIA MOS管

KND2803B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进沟槽加工技术，极低的导通电阻RDS(on)为2.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；快速切换、改进的重复雪崩额定值、?100%雪崩测试，稳定可靠；无铅，符合RoHS标准，节能环保，在锂电池保护板...

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www.kiaic.com/article/detail/6122.html         2025-12-24

2803场效应管参数,​30v150a mos,KIA2803AP现货特惠-KIA MOS管

KIA2803AP场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺设计，极低导通电阻RDS(on)=2.2mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；具有快速切换、100%雪崩测试、允许高达Tjmax的重复雪崩、无铅，符合RoHS标准，稳定可靠；广泛应...

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www.kiaic.com/article/detail/6119.html         2025-12-23

​12n65,​12n65场效应管参数,650v12a,KNF12N65中文资料-KIA MOS管

KNF12N65场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流12A，采用先进平面工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 0.6Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，开关速度快，降低开关损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、符合RoHS标准，快速恢复体二极管，性能稳定可靠；广...

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www.kiaic.com/article/detail/6116.html         2025-12-22

10n65场效应管参数引脚图,650v10a,KNF10N65B现货-KIA MOS管

KNF10N65B场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，采用高级平面工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 0.75Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，开关速度快，降低开关损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、符合RoHS标准，快速恢复体二极管，性能稳定可靠；...

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www.kiaic.com/article/detail/6113.html         2025-12-19

7N65b参数,7n65场效应管,650v7a,KND7N65B现货-KIA MOS管

KND7N65B场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流7A，采用高级平面工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.2Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，开关速度快，降低开关损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、符合RoHS标准，快速恢复体二极管，性能稳定可靠；广...

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www.kiaic.com/article/detail/6110.html         2025-12-18

4n65,4n65场效应管参数,​​650v4a,KNF4N65F中文资料-KIA MOS管

KNF4N65F场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流4A，采用先进平面工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.4Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，开关速度快，降低开关损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、符合RoHS标准，快速恢复体二极管，?性能稳定可靠；...

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www.kiaic.com/article/detail/6107.html         2025-12-17

040N10,120a100v参数,040N10场效应管中文资料-KIA MOS管

KCT040N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 3.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），最大限度地减少导电损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，开关速度快，性能稳定可靠，在电...

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www.kiaic.com/article/detail/6104.html         2025-12-16

032N10mos,120a100v场效应管,032N10参数引脚图-KIA MOS管

KCT032N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 3.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少损耗，开关速度快，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，高可靠性和稳定性，性能优越，在电...

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www.kiaic.com/article/detail/6101.html         2025-12-15

12n09,12N09场效应管参数,​​电机mos管,KCT012N09N-KIA MOS管

KCT012N09N场效应管漏源击穿电压90V，漏极电流305A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；开关速度快、符合JEDEC标准，产品性能稳定可靠，在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源...

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www.kiaic.com/article/detail/6095.html         2025-12-11

50N08场效应管参数,电机驱动mos,​85v120a,KCT050N08N-KIA MOS管

KCT050N08N场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，广泛应用于电机控制和...

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www.kiaic.com/article/detail/6092.html         2025-12-10

电机控制,12N10mos,​12N10场效应管,KCT012N10N参数-KIA MOS管

KCT012N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流330A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），最大限度地减少导电损耗，提高效率；100% DVDS测试、100% 雪崩测试、?符合JEDEC标准，稳定可靠，在电机控制和驱动...

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www.kiaic.com/article/detail/6089.html         2025-12-09

017N10mos,259a100v场效应管,toll封装,KCT017N10N-KIA MOS管

KCT017N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流259A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，适用于电机控制和驱动、...

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www.kiaic.com/article/detail/6086.html         2025-12-08

无刷电机,40v120a mos,3004场效应管,KNY3004B参数-KIA MOS管

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KNY3004B场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流120A，采用先进沟槽技术制造，?极低导通电阻RDS(开启) 2.4mΩ，最大限度地减少导电损耗，超低栅极电荷、低交叉，开关速度快，高效低耗；CdV/dt效应下降极佳、100% ΔVds测试 、100% UIS测试，能够在额定工作条件下稳...

www.kiaic.com/article/detail/6082.html         2025-12-05