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13n50场效应管,500v13a,KIA13N50HF参数引脚图-KIA MOS管
KIA13N50HF场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，低导通电阻RDS(开启) 0.4Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷（典型值45nC），降低开关损耗，性能高效；具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；适用于逆变器后级电路，以及电子镇流器...www.kiaic.com/article/detail/6216.html 2026-02-06
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12n60,600v12a场效应管,KIA12N60HF参数引脚图-KIA MOS管
KIA12N60HF场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流12A，低导通电阻RDS(开启) 0.53Ω，最大限度地减少导电损耗，超低栅极电荷52nC，高效低耗；快速切换能力、改进的dv/dt能力、指定的雪崩能量，稳定可靠；专为高压、高速功率开关应用设计，广泛应用在开关电源、LED...www.kiaic.com/article/detail/6213.html 2026-02-05
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场效应管功放电路图,输出变压器功放-KIA MOS管
该电路的输出级是采用双管并联输出的，目的是增大输出功率。电路工作电压采用±45V，提高工作电压可以增大输出功率，但功放管的管耗和发热量也在增大，所以在满足输出功率的需要下，应尽可能降低电源电压。www.kiaic.com/article/detail/6212.html 2026-02-05
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10N65F参数,10n65场效应管参数,650v10a mos-KIA MOS管
KIA10N65HF场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，低导通电阻RDS(开启) 0.65Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷(典型48nC)，高效低耗；具有快速切换、指定的雪崩能量以及改进的DV/DT功能，稳定可靠，提高开关响应速度，广泛应用于高压、高速功率开关应用...www.kiaic.com/article/detail/6210.html 2026-02-05
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10n60,10n60场效应管参数,600v9.5a,KIA10N60HF-KIA MOS管
KIA10N60HF漏源电压600V，漏极电流9.5A，极低导通电阻RDS(开启) 0.6Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗；具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；专为高压、高速功率开关应用设计，适用于高效开关电源、有源功率因数校正、...www.kiaic.com/article/detail/6207.html 2026-02-03
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100n03,30v90a mos管,KIA100N03AP场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KIA100N03AP场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，采用先进平面条纹DMOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 3.3mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有增强的dv/dt能力、快速切换，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲，?绿色设备可用；广泛应用于高效...www.kiaic.com/article/detail/6204.html 2026-02-02
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3104场效应管,40v110a mos,KCY3104S参数资料-KIA MOS管
KCY3104S漏源击穿电压40V，漏极电流110A，采用先进SGT技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.5mΩ，最小化开关损耗，高效低耗，提供卓越的开关性能；具有低栅极电荷、高电流承载能力、符合RoHS和无卤素标准，稳定可靠，适用于SMPS同步整流、DC/DC转换器、或门电路...www.kiaic.com/article/detail/6198.html 2026-01-29
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40n20场效应管参数,40a200v mos管,KIA40N20AF-KIA MOS管
KIA40N20AF漏源击穿电压200V，漏极电流40A，低导通电阻RDS(开启) 0. 08Ω(最大值)，最小化开关损耗，高效低耗，提供卓越的开关性能?；具有低栅极电荷、?快速切换能力、符合RoHS标准，稳定可靠，适用于DC-DC转换器、UPS、DC-AC转换器以及逆变电路、安防、拉杆...www.kiaic.com/article/detail/6195.html 2026-01-28
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bldc电机驱动mos管,27a800v场效应管,7880mos管参数-KIA MOS管
KNK7880A场效应管漏源击穿电压800V，漏极电流27A，采用先进的平面工艺制造，低导通电阻RDS(开启) 280mΩ，最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，高效率低损耗；具有低栅极电荷、坚固的多晶硅栅极结构，可靠稳定；广泛应用于BLDC电机驱动器、电焊机、高...www.kiaic.com/article/detail/6192.html 2026-01-27
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dcdc转换器,8606场效应管,60v35a,to252,KND8606B-KIA MOS管
KND8606B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流35A，采用先进的平面条纹DMOS技术制造，低导通电阻RDS(开启) 15mΩ，最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，高效稳定；具有低栅极电荷、高坚固性、快速切换、100%雪崩测试...www.kiaic.com/article/detail/6189.html 2026-01-26
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逆变电源mos,500v13a场效应管,6450场效应管,KNF6450A参数-KIA MOS管
KNF6450A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流13A，专为高压、高速功率开关应用设计，?低导通电阻RDS(开启) 0.40Ω，低栅极电荷，最小化开关损耗，稳定可靠；快速恢复体二极管，低反向传输电容，开关速度快，高效低耗；广泛应用于高效开关电源、有源功率因数校...www.kiaic.com/article/detail/6186.html 2026-01-23
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充电器mos管,1500v场效应管,1500v9a,KNM48150A参数-KIA MOS管
KNM48150A场效应管漏源击穿电压1500V，漏极电流9A，采用先进的沟槽技术制造，低导通电阻RDS(开启) 2.8Ω，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有低反向传输电容，开关速度快，快速恢复体二极管，?在适配器、充电器、SMPS备用电源等应用中高效稳...www.kiaic.com/article/detail/6183.html 2026-01-22
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电源切换mos管,2912mos管,120v130a,KNP2912A场效应管-KIA MOS管
KNP2912A场效应管漏源击穿电压120V，漏极电流130A，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 6.0mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；高密度单元设计，实现更低的Rdson、高雪崩电压与电流、高EAS，在储能电源、电源切换应用、硬开关和高...www.kiaic.com/article/detail/6180.html 2026-01-21
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电机驱动mos,80v240a,1808场效应管,KCC1808A参数-KIA MOS管
KCC1808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流240A，采用采用先进SGT技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.7mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有优异栅极电荷与RDS（on）比值（FOM），高效稳定可靠；广泛用于电机控制与驱动、电池管理、DC/DC转换器，封装...www.kiaic.com/article/detail/6165.html 2026-01-20