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dcdc转换mos,80v240a,1808mos管,KCT1808A场效应管-KIA MOS管
KCT1808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流240A，采用采用先进SGT技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.25mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有优异栅极电荷与RDS（on）比值（FOM），高效稳定可靠；广泛用于电机控制与驱动、电池管理、DC/DC转换器，；T...www.kiaic.com/article/detail/6177.html 2026-01-20
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60v80a mos管,3306mos管,KNP3306A场效应管参数-KIA MOS管
KNP3306A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流80A；采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 7mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、高雪崩电流、?低功耗、开关速度快，高效稳定；无铅环保设备，优质可靠，广泛应用于电源...www.kiaic.com/article/detail/6174.html 2026-01-19
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60v130a mos,2906场效应管,to263封装,KNB2906A参数-KIA MOS管
KNB2906A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 5.5mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快，性能优越；无铅环保设备，优质可靠，广泛应用于电源、电动工具...www.kiaic.com/article/detail/6171.html 2026-01-16
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dcdc转换器,5610mos管,100v5.4a,KIA5610BU场效应管-KIA MOS管
KIA5610BU场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流5.4A，采用先进高单元密度沟槽技术制造，?导通电阻RDS(开启) 310mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有超高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON和超低栅极电荷，优异Cdv/dt效应曲线、1...www.kiaic.com/article/detail/6162.html 2026-01-13
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20n50参数,20n50mos管,500v20a场效应管,KIA20N50HM-KIA MOS管
KIA20N50HM场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，专为高压、高速功率开关应用设计，?低导通电阻RDS(on)0.21Ω，低栅极电荷70nC，降低功率损耗，提高系统效率；快速开关能力、指定雪崩能量、改进的dvdt功能，高效稳定可靠；广泛应用于高效开关电源和有源功率...www.kiaic.com/article/detail/6156.html 2026-01-09
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20n50场效应管参数,500v20a,KIA20N50HH现货-KIA MOS管
KIA20N50HH场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，低导通电阻RDS(on)0.21Ω，低栅极电荷70nC，降低功率损耗，提高系统效率；快速开关能力、指定雪崩能量、改进的dvdt功能，高效稳定可靠；专为高压、高速功率开关应用设计，适用于高效开关电源和有源功率因数校...www.kiaic.com/article/detail/6153.html 2026-01-08
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dh100p20,pmos-100v-28a,KPD7910A场效应管替代-KIA MOS管
dh100p20替代型号KPD7910A场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流-28A，采用先进的高密度沟槽技术制造，?低导通电阻RDS(开启) 60mΩ，超低栅电荷，降低功率损耗，提高系统效率；开关速度快，优秀的QgxRDS产品（FOM）、符合JEDEC标准，稳定可靠；广泛应用于电动车...www.kiaic.com/article/detail/6150.html 2026-01-07
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电动车mos,pmos-100v-30a,KPU8610A场效应管参数-KIA MOS管
KPU8610A场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，采用先进的高密度沟槽技术制造，低导通电阻RDS(开启)?? 32mΩ、超低栅电荷，降低功率损耗，提高系统效率，能够提供可靠而高效的电流开关功能，满足RoHS和绿色产品的要求，100%的EAS保证功能可靠性；采用TO...www.kiaic.com/article/detail/6147.html 2026-01-06
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电机控制mos,75nf75,80v80a场效应管,KIA75NF75参数-KIA MOS管
KIA75NF75场效应管采用先进的技术，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，导通电阻RDS(开启) 7mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；高雪崩电流，在运行时承受更高的冲击负载，提供更稳定和可靠的性能；无铅环保设备（符合RoHS标准），品质优越；广泛用于电机控制...www.kiaic.com/article/detail/6144.html 2026-01-05
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80v70a场效应管,3508mos管,to252,KND3508B参数-KIA MOS管
KND3508B场效应管漏源电压80V，漏极电流70A，导通电阻RDS(开启) 8.7mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗；高击穿电压和电流，稳定可靠；100% 雪崩测试,可靠且坚固耐用，无铅环保设备（符合RoHS标准），品质优越；广泛用于开关模式电源、锂电池保...www.kiaic.com/article/detail/6141.html 2026-01-04
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逆变器mos,80v60a,3508场效应管参数,to252,KIA3508AD-KIA MOS管
KIA3508AD场效应管漏源电压80V，漏极电流60A，导通电阻RDS(开启) 11mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗；100%雪崩测试，可靠且坚固耐用；高击穿电压和电流，稳定可靠；提供无铅环保器件（符合RoHS标准），品质优越；广泛用于电动车控制器、锂电...www.kiaic.com/article/detail/6138.html 2025-12-31
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3508mos,80v70a,3508场效应管,KIA3508AB参数-KIA MOS管
KIA3508AB场效应管漏源电压80V，漏极电流70A，导通电阻RDS(开启) 11mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗?；100%雪崩测试，可靠且坚固耐用；高击穿电压和电流，?稳定可靠；提供无铅环保器件（符合RoHS标准），品质优越；适用于电动车控制器、锂...www.kiaic.com/article/detail/6134.html 2025-12-30
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3303mos,3303场效应管,30v90a,KCY3303S参数-KIA MOS管
KCY3303S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A；采用先进的沟槽技术制造，极低的导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗；具有高电流承载能力、符合RoHS和无卤素标准，?稳定可靠，绿色器件；广泛应用于台式计算机电源管理、...www.kiaic.com/article/detail/6131.html 2025-12-29
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3404mos,3404场效应管参数,40v80a,KNY3404C现货-KIA MOS管
KNY3404C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A；采用先进的高单元密度沟槽技术制造，极低的导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗；具有出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和绿色产品要求、100%EAS保证，稳定可靠；应用于太阳...www.kiaic.com/article/detail/6128.html 2025-12-26