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3401场效应管代换,3401mos管规格书,SOT23-KIA MOS管
3401场效应管漏源电压-30V，漏极电流为-4A，采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(on)，低栅极电荷工作电压低至2.5V。3401场效应管-30V -4A适用于作为负载开关或PWM应用程序。www.kiaic.com/article/detail/3762.html 2023-11-10
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2301场效应管参数,2301场效应管代换,引脚图-KIA MOS管
KIA2301漏源击穿电压-20V，漏极电流为-2.8A；极低RDS（on）的高密度单元设计、无铅产品、坚固可靠；封装形式：SOT-23。KIA2301应用于小家电方案，高效率低损耗。www.kiaic.com/article/detail/4589.html 2023-11-09
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电源分流器专用,27n80场效应管参数代换,KNK7880A-KIA MOS管
大功率场效应管KNK7880A漏源击穿电压高达800V，漏极电流最大值为27A；RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V。KNK7880A采用高级平面技术，降低导通损耗，改善开关性能，提高雪崩能量，高效率低损耗；KNK7880A可以匹配27n80场效应管代换使用。www.kiaic.com/article/detail/4586.html 2023-11-08
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095r0nt参数,095r0nt场效应管代换,优质平替-KIA MOS管
KNX2908B?这款130A、80V大流量、低电压的MOS管能够代换SVG095R0NT型号来使用。SVG095R0NT代换MOS管KNX2908B广泛应用于DC/DC电源、DC-AC逆变器、开关电源、UPS、BLDC电机驱动及锂电池保护板上。www.kiaic.com/article/detail/4580.html 2023-11-06
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4n90c代换,4n90c场效应管参数,引脚图,大功率900V-KIA MOS管
推荐这款大功率900V场效应管??KNX4390A匹配型号FQPF4N90C代换使用，该产品可广泛应用于仪器仪表、PD快充、电源转换器、马达驱动及电焊机等。www.kiaic.com/article/detail/4577.html 2023-11-03
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110n8f5场效应管参数,100n08参数及代换,引脚,2908B-KIA MOS管
KNX2908B场效应管采用先进的N沟道沟槽技术，漏源击穿电压80V, 漏极电流最大值为130A ,能够代换110n8f5和100n08这两款型号来使用。www.kiaic.com/article/detail/4571.html 2023-11-01
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40n20场效应管参数,40n20场效应管代换-KIA MOS管
KIA40N20A是一款40A低电流，200V高电压N沟道增强型功率MOS场效应管，以其40A漏极直流电流、200V漏-源电压的特性，一般推荐用于DC-DC电路的产品，还可以用于逆变电路、安防、拉杆音箱、无线充电器。www.kiaic.com/article/detail/4562.html 2023-10-27
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20n50场效应管参数,引脚图,20n50场效应管代换-KIA MOS管
KNX7150A漏源击穿电压高达500V，漏极电流为20A；RDS（on）,typ.（典型值）=0.24Ω@Vgs=10V，封装形式：TO-3P、TO-220、TO-220F，KNX7150A可以作为20n50场效应管代换使用，优质国产品牌产品。www.kiaic.com/article/detail/4553.html 2023-10-24
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knp6140,knp6140a参数,knp6140a代换,led照明-KIA MOS管
6140S N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。knp6140漏源击穿电压400V, 漏极电流最大值为11A ,RDS(on) =0.53mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式：TO-220，www.kiaic.com/article/detail/4538.html 2023-10-17
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ncep15t14参数,ncep15t14代换,ncep15t14场效应管-KIA MOS管
ncep15t14场效应管VDS =150V，ID =140A，RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V，能够使用KIA半导体的KNX2915A型号替代，KNX2915A漏源击穿电压150V，漏极电流最大为130A；RDS（on）（典型值）=10mΩ@Vgs=10V，可提供最高效的高频开关性能。www.kiaic.com/article/detail/4532.html 2023-10-13
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hy1906参数,hy1906代换,2906A场效应管-KIA MOS管
KIA2906A漏源击穿电压60V，漏极电流最大为130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@Vgs=10V，具有低电荷最小化开关损耗，开关速度快等优点，KIA2906A能够完美匹配hy1906型号场效应管。www.kiaic.com/article/detail/4526.html 2023-10-11
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svt035r5nd参数,035r5nd代换,100A 30V场效应管-KIA MOS管
KNX3203B漏源击穿电压100V, 漏极电流最大值为30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=10V，封装形式：TO-252，能够匹配代换svt035r5nd和nce03h11k型号参数场效应管。www.kiaic.com/article/detail/4514.html 2023-09-27
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NCE0115K中文资料,nce0115k参数,nce0115k代换6610A-KIA MOS管
6610A采用KIA先进的平面条纹TRENCH技术生产。这种先进的技术经过特别定制，可最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。KNX6610A漏源击穿电压100V, 漏极电流最大值为15A ,RDS(on) =83mΩ(typ)@VGS=10V，能够完美代换nce...www.kiaic.com/article/detail/4511.html 2023-09-26
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crss052n08n参数,52n08n代换,保护板专用-KIA MOS管
KIA半导体KCX3008A型号场效应管能够完美匹配crss052n08n型号参数场效应管。KCX3008A漏源击穿电压85V, 漏极电流最大值为120A ,RDS(on) =4.5mΩ(typ)@VGS=10V，采用先进的SGT技术，开关速度快，高效能低损耗；适用于锂电池保护板（13-16串）。www.kiaic.com/article/detail/4508.html 2023-09-25