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NCE01P18参数及代换,nce01p18引脚,7910A-KIA MOS管
KIA半导体这款KPD7910A型号场效应管能够完美匹配NCE01P18型号参数?场效应管。7910A?为低压大电流功率场效应管，-28A ,-100V, RDS(on) = 60mΩ(typ)@VGS=10V，开关速度快。?广泛应用于电机控制与驱动、电池管理、不间断电源中，高效质优。www.kiaic.com/article/detail/4505.html 2023-09-22
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3n150场效应管参数,3n150代换,2SK2225参数代换-KIA MOS管
MOS管42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流最大值为3A；RDS（ON），典型=5.5Ω@VGS=10V，采用超高密度电池设计、超低导通电阻，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小，高效稳定。42150A型号产品可完美代换3N150、2SK2225使用，42150A交货周期短，价格优惠，优质原...www.kiaic.com/article/detail/4502.html 2023-09-21
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nce65t540参数代换,引脚图,6165C场效应管-KIA MOS管
KNF6165C最高承受电压可达650V，漏极电流最大值为10A，栅源电压：±20V，脉冲漏极电流：40A，RDS（ON）=0.8Ω（典型值）@VGS=10V；封装形式：TO-220F；脚位排列位GDS。6165C 650V 10A场效应管能够代替nce65t540型号产品，高效质优，国产原厂。www.kiaic.com/article/detail/4497.html 2023-09-20
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40A 250V场效应管参数代换,9125A场效应管引脚图-KIA MOS管
40A 250V场效应管参数,9125A-参数漏源电压：250V漏极电流：40A功耗:125Wwww.kiaic.com/article/detail/4496.html 2023-09-19
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28n50场效应管参数,28n50代换,28A 500V,逆变器-KIA MOS管
高压大功率MOS管KIA28N50漏源击穿电压高达500V，漏极电流最大为28A；RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低电荷最小化开关损耗，开关速度快等优点，适用于车载逆变器、LED电源、手机充电器、备用电源等。封装形式：TO-3P、TO-220F。www.kiaic.com/article/detail/4493.html 2023-09-18
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HY3210场效应管代换2910A HY3210参数 引脚图-KIA MOS管
MOS管KNX2910A漏源击穿电压100V，漏极电流最大值为130A；低内阻：5Ω，采用超高密度电池设计、超低导通电阻，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小，高效稳定。www.kiaic.com/article/detail/4484.html 2023-09-13
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5N50参数及代换,5N50场效应管引脚图-KIA MOS管
高压MOS管KIA5N50H最高承受电压可达500V，漏极电流最大值为5A；低内阻：1.25Ω，能够承受高电流，使得电器的效率更高，低开关损耗：开关速度快，开关损耗小，节能环保。适用于各种高功率应用场合，如无刷电机、安定器等。封装形式：TO-252；脚位排列位GDS。www.kiaic.com/article/detail/4478.html 2023-09-11
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1000V场效应管代换2sk119参数 41100A引脚图-KIA MOS管
??KNX41100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为2A，可替换2sk119；RDS (on) = 9.6mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于LED照明驱动电源，充电桩等应用。封装形式：TO-220、TO-220F、TO-25...www.kiaic.com/article/detail/4438.html 2023-08-22
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7n80场效应管参数，7n80场效应管代换-KIA MOS管
7n80场效应管工作方式：7A/800V、漏源电压：800V、栅源电压：±30V、漏电流连续：7.0A、脉冲漏极电流：28A、雪崩能量：650mJ、耗散功率：167W、热电阻：62.5℃/W、漏源击穿电压：800Vwww.kiaic.com/article/detail/4423.html 2023-08-14
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24n50场效应管参数,24n50代换,引脚图 500V-KIA MOS管
KIA24N50功率MOSFET采用KIA先进的平面条纹DMOS技术生产。这款24A、500V低电流、高电压的MOS管是能够匹配：2SK2837、25N50两款型号，能够完美代换使用。www.kiaic.com/article/detail/4417.html 2023-08-10
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20n50场效应管参数,20n50参数代换,引脚图-KIA MOS管
KIA20N50具有500V高耐压，20A漏极直流电流，低反向传输电容开关速度快，内阻低，耐冲击特性好等特点；在使用性能参数方面能够匹配型号为IRFP460的国外场效应管，也能够代换2SK2837型号的场效应管。www.kiaic.com/article/detail/4414.html 2023-08-09
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18n50场效应管参数代换 18n50规格书 引脚-KIA MOS管
KIA半导体这款18N50H是N沟道增强型硅栅功率MOSFET是为高功率器件设计，广泛应用于开关电源、DC-AC电源转换器，DC-DC电源转换器，紫外线灯电子镇流器等产品中。www.kiaic.com/article/detail/4411.html 2023-08-08
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65r300s参数及代换 65r300高压MOS管650V超结-KIA MOS管
KIA65r300功率MOSFET是使用KIASemi先进的超级结技术生产的。这项先进的技术经过专门定制，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度等提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。www.kiaic.com/article/detail/4405.html 2023-08-04
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65R190代换 65R190场效应管参数 650V储能电源应用-KIA MOS管
KIA65R190这种功率MOSFET是使用KIA半导体Semi先进的超级结技术生产的。这项先进的技术经过专门定制，可最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合开关模式操作中的AC/DC功率转换，以获得更高的效率。作...www.kiaic.com/article/detail/4402.html 2023-08-03