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ups逆变器,190a40v,2404场效应管,KNY2404A参数引脚图-KIA MOS管
KNY2404A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流190A，采用专有新型沟槽工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷减少开关损耗，高效稳定；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，高频性能优异?；广泛应用于高效DCDC转换器、同步...www.kiaic.com/article/detail/5795.html 2025-08-05
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600v超结mos管,600v24a,KLF60R135BD场效应管参数-KIA MOS管
KLF60R135BD场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流24A，采用多层外延工艺的超结MOS，有效降低导通电阻Rds(on)和Qg，更利于提高效率；?极低导通电阻RDS（ON）110mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷（典型Qg=46nC)，减少开关损耗；具有高耐用性、...www.kiaic.com/article/detail/5828.html 2025-08-04
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60r090,38a600v超结,KLF60R090B场效应管参数-KIA MOS管
KLF60R090B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流38A，采用多层外延工艺的超结MOS，有效降低导通电阻Rds(on)和Qg，高效低耗；极低导通电阻RDS（ON）80mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷Qg=52nC，减少开关损耗；具有高耐用性、超快开关速度以及1...www.kiaic.com/article/detail/5834.html 2025-08-04
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同步整流,2904mos管,45v130a,KCP2904A场效应管参数-KIA MOS管
KCP2904A场效应管漏源击穿电压45V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术，低功率损耗，高功率密度，提升最大电流承载能力，易于并联；极低导通电阻RDS（ON）2mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，减少开关损耗；优异的低Ciss特性，在高频应用中更快地响应输入...www.kiaic.com/article/detail/5831.html 2025-08-01
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ups逆变器专用,80v160a,KNP2708A场效应管参数-KIA MOS管
KNP2708A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流160A，采用专有新型沟槽技术制造，极低导通电阻RDS（ON）4mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低栅极电荷，减少开关损耗提高效率；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，高效低耗，稳定可靠；广泛应用于高效DCD...www.kiaic.com/article/detail/5825.html 2025-07-30
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同步整流应用,3006场效应管,KNP3006A参数引脚图-KIA MOS管
KNP3006A场效应管漏源击穿电压68V，漏极电流120A，极低导通电阻RDS（ON）5.8mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷（典型值107nC)，减少开关损耗；具有高耐久性、100%雪崩测试、改进的dv/dt性能，确保性能稳定优越，坚固可靠，广泛应用于同步整流...www.kiaic.com/article/detail/5822.html 2025-07-29
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60v pmos管,3606场效应管,-60v-60a,KPD3606A参数-KIA MOS管
KPD3606A P沟道场效应管漏源击穿电压-60V，漏极电流-60A，采用先进的高单元密度沟槽制造，极低导通电阻RDS（ON）11.6mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低栅极电荷减少开关损耗；100% EAS保证，在雪崩击穿条件下稳定工作，坚固可靠，优异的CdV/dt效应下...www.kiaic.com/article/detail/5819.html 2025-07-28
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逆变器应用mos,74120参数,1200v场效应管,KNK74120A参数-KIA MOS管
KNK74120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流23A，采用先进平面工艺制造，极低导通电阻RDS（ON）480mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷减少开关损耗；?坚固的多晶硅栅极结构，具有高温稳定性、出色的稳定性与耐久性，广泛应用于BLDC电机驱动...www.kiaic.com/article/detail/5816.html 2025-07-25
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dcac逆变器专用,450v10a,KNF6145A场效应管参数-KIA MOS管
KNF6145A场效应管漏源击穿电压450V，漏极电流10A，采用专有新型平面技术制造，极低导通电阻RDS（ON）0.39Ω（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低栅极电荷，减少开关损耗提高效率；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，性能优越，稳定可靠；广泛应用于镇流器...www.kiaic.com/article/detail/5813.html 2025-07-24
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60r380,11a600v,KLD60R380B场效应管参数-KIA MOS管
KLD60R380B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流11A，采用KIA先进的超级结技术生产，导通电阻RDS(开启) 0.34Ω，低栅极电荷33nC，最大限度降低导通电阻、性能优越；具有高耐用性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；在雪崩模式和换向模式下承...www.kiaic.com/article/detail/5807.html 2025-07-22
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7n80场效应管代换,7a800v,KIA7N80HF参数现货-KIA MOS管
7n80场效应管代换型号?KIA7N80HF漏源击穿电压800V，漏极电流7A，采用先进的平面条状DMOS技术制造，?RDS(on)仅为1.4Ω@ VGS=10V，低栅极电荷27nC，最大限度降低导通电阻、提供卓越的开关性能；?具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能...www.kiaic.com/article/detail/5804.html 2025-07-21
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-100a-40v pmos,3204场效应管,KPD3204B参数资料-KIA MOS管
KPD3204B场效应管漏源击穿电压-40V，漏极电流-90A，采用先进的高单元密度沟槽技术制造，极低导通电阻RDS（ON）3.2mΩ（典型值）、超低栅极电荷，减少开关损耗，高效率低损耗；100%EAS保证、dV/dt效应显著下降，稳定可靠，绿色设备可用，性能优越；封装形式：TO...www.kiaic.com/article/detail/5798.html 2025-07-18
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dcdc变换器mos管,80v160a场效应管,KNB2708A参数-KIA MOS管
KNB2708A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流160A，采用专有新型沟槽技术制造，极低导通电阻RDS（ON）4mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，?超低栅极电荷，减少开关损耗提高效率；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，性能优越，稳定可靠；广泛应用于高效D...www.kiaic.com/article/detail/5801.html 2025-07-18
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充电器mos,2408MOS管,190a80v,KCY2408A场效应管-KIA MOS管
KCY2408A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流190A，采用SGT-MOSFET技术，专有新型沟槽工艺制造，??极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；快速切换能力，确保应用高效率、低损耗，稳定可靠；广泛应用于交流直流快速充电器、同步整流...www.kiaic.com/article/detail/5792.html 2025-07-15