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47n60场效应管代换,50a600v,60R065参数资料-KIA MOS管
47n60场效应管参数代换型号KLM60R065B漏源击穿电压600V，漏极电流50A，极低导通电阻RDS(开启) 50mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷75nC，减少损耗、提高效率；开关速度快、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、超高坚固性，稳定可靠；广泛应用于高频开关电源...www.kiaic.com/article/detail/5789.html 2025-07-14
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适配器电源mos管,840场效应管参数,KIA840SP代换-KIA MOS管
irf840场效应管?代换型号?KIA840SP漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷，减少损耗；?开关速度快，高效可靠；100%雪崩测试、符合RoHS，稳定环保；合理的峰值电流与脉冲宽度曲线，性能优越；广泛应用...www.kiaic.com/article/detail/5786.html 2025-07-11
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8106场效应管,-60v-30a,KPD8106A参数引脚图-KIA MOS管
KPD8106A场效应管漏源击穿电压-60V，漏极电流-30A ，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 26mΩ，低栅极电荷，减少开关损耗，提高效率；快速开关，高效稳定；100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，坚固可靠；在PWM应用、负载切换、电源管理中广泛应用；...www.kiaic.com/article/detail/5783.html 2025-07-10
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60R180场效应管,20a600v mos管,KLF60R180BD参数-KIA MOS管
60R180场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流20A ，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 160mΩ，低栅极电荷Qg=33.5nC，减少开关损耗，提高效率；具备高耐用性、超快开关速度、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，高效稳定；在电池管理系统、负载开关、无...www.kiaic.com/article/detail/5780.html 2025-07-09
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电机控制mos,260a40v场效应管,KCT1704A参数现货-KIA MOS管
KCT1704A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流260A ，采用先进的SGT技术、?专有高密度沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.1mΩ，低栅极电荷减少开关损耗，提高效率；符合RoHS标准且不含卤素，优质环保；在电池管理系统、负载开关、无刷直流电机控制中广泛应...www.kiaic.com/article/detail/5777.html 2025-07-08
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050N08,85v120a场效应管,KCX050N08N参数引脚图-KIA MOS管
KCX050N08N场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，在电机控制和驱动、电...www.kiaic.com/article/detail/5774.html 2025-07-07
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040N10N,100v120a场效应管,KCX040N10N参数原厂-KIA MOS管
KCX040N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 3.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，在电机控制和驱动、电...www.kiaic.com/article/detail/5771.html 2025-07-04
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032n10n场效应管参数,120a100v mos管,KCX032N10N-KIA MOS管
KCX032N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 3.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，在电机控制和驱动、电...www.kiaic.com/article/detail/5768.html 2025-07-03
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17N10场效应管,259a100v,KCX017N10N参数资料-KIA MOS管
KCX017N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流259A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，?100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，在电机控制和驱动、电...www.kiaic.com/article/detail/5765.html 2025-07-02
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12N10场效应管参数,330a100v,KCX012N10N参数-KIA MOS管
KCX012N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流330A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.4mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，高效稳定；符合JEDEC标准，坚固可靠，在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）中广泛应用；...www.kiaic.com/article/detail/5762.html 2025-07-01
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电机控制MOS管,305a90v,12N09场效应管参数中文资料-KIA MOS管
KCX012N09N场效应管漏源击穿电压90V，漏极电流305A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，产品性能稳定可靠，在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）中广泛...www.kiaic.com/article/detail/5759.html 2025-06-30
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upsmos管,70a250v场效应管,KCP3525A参数引脚图-KIA MOS管
KCP3525A场效应管漏源击穿电压250V，漏极电流70A ，采用先进的SGT技术制造，专有新沟槽技术，极低导通电阻RDS(开启) 18.5mΩ，低栅极电荷减少开关损耗，提高效率；快速恢复体二极管，具有反向电压保护、续流功能和防止电源反接等优点，在硬开关与高速电路、电机...www.kiaic.com/article/detail/5756.html 2025-06-27
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整流mos管,135v200a场效应管,toll封装,KCT2213A参数-KIA MOS管
KCT2213A场效应管漏源击穿电压135V，漏极电流200A ，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 2.9mΩ，低栅极电荷（151nC），最小化开关损耗，性能卓越；改进的dv/dt能力测试，高坚固性，在同步整流、电机控制、锂电池保护板中广泛应用，高效稳定?；封装形式...www.kiaic.com/article/detail/5753.html 2025-06-26
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FET详解,MOSFET结构原理,场效应管作用-KIA MOS管
场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)，有很高的输入阻抗，较大的功率增益，由于是电压控制器件所以噪声小。FET是根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极，栅极，漏极，源极。www.kiaic.com/article/detail/5748.html 2025-06-25