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2920场效应管,高频开关mos,200v130a,KCP2920K参数-KIA MOS管
KCP2920K场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流130A，采用专利新型沟槽工艺制造，SGT MOSFET技术，提升功率密度，性能优越；?极低导通电阻RDS(开启) 9.8mΩ，减少导电损失，?低栅极电荷减少开关损耗；快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能，提高器件的开...www.kiaic.com/article/detail/5867.html 2025-08-19
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6610mos管,pwm调光,15a100v场效应管,KNY6610A参数-KIA MOS管
KNY6610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流15A，采用先进的平面沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 83mΩ，可最大限度地减少导电损失，提供卓越的开关性能，并能够承受雪崩和换向模式的高能脉冲，性能优越；具有低交叉失真、快速切换、100%雪崩测试、改进的...www.kiaic.com/article/detail/5864.html 2025-08-18
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41100场效应管,电源mos型号,2a1000v,KND41100A参数-KIA MOS管
KND41100A超高压MOS?场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流2A，低导通电阻RDS(开启) 9.6Ω，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷最小化开关损耗、高效低耗；快速恢复体二极管用于反向电压保护?和?续流功能?，提高器件的开关速度和效率，稳定可靠，符合RoHS，...www.kiaic.com/article/detail/5858.html 2025-08-15
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4590场效应管,KNP4590A参数,6a900v场效应管,充电器mos-KIA MOS管
KNP4590A高压场效应管漏源击穿电压900V，漏极电流6A，低导通电阻RDS(开启) 1.6Ω，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷最小化开关损耗，性能优越；低反向传输电容、开关速度快，提高效率，快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能，稳定可靠，?符合RoHS，...www.kiaic.com/article/detail/5861.html 2025-08-15
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KIA3510AD参数,dcdcmos管,100v mos管,75a场效应管现货-KIA MOS管
KIA3510AD场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（ON）值为9mΩ，低导通电阻、低栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，性能高效低耗；100%雪崩测试，稳定可靠；提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）；广泛应用于控制板、DCDC转换器、电机驱动板等，封装形式...www.kiaic.com/article/detail/5439.html 2025-08-14
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KIA3510AB,hid安定器,汽车安定器,75a100v场效应管参数-KIA MOS管
hid安定器MOS管?KIA3510AB漏源击穿电压100V，漏极电流75A，极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ，最大限度地减少导通损耗，?低栅极电荷有助于降低开关损耗，性能优越；100%雪崩测试，稳定可靠；提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）；广泛应用于汽车安定器、逆变电源、...www.kiaic.com/article/detail/5573.html 2025-08-14
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KIA3510AP参数资料,电源切换mos管,75a100v场效应管-KIA MOS管
KIA3510AP场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流75A，极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ，最大限度地减少开关损耗，提高效率；100%单脉冲雪崩能量测试，高效稳定可靠；符合RoHS，绿色环保；适用于切换应用程序、逆变器系统的电源管理，封装形式：TO-220，散热良好。www.kiaic.com/article/detail/5615.html 2025-08-14
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kia3510a参数引脚图,逆变器mos管场效应管,75A100V-KIA MOS管
KIA3510A是一款逆变器专用MOS管，漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（ON）值为9mΩ，低导通电阻最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；低栅极电荷、100%雪崩测试，性能高效稳定；提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）；广泛应用于电源切换、LED电源等，封装...www.kiaic.com/article/detail/5254.html 2025-08-14
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电焊机mos,900v18a,6990场效应管,KNM6990A参数-KIA MOS管
KNM6990A场效应管漏源击穿电压900V，漏极电流18A，采用高级平面工艺制造，低导通电阻RDS(开启) 650mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷最小化开关损耗、提高效率；加固多晶硅栅极结构，降低栅极电阻和泄漏电流,提高器件的开关速度和效率，稳定可靠；广泛应...www.kiaic.com/article/detail/5855.html 2025-08-13
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lcd电源mos,900v场效应管,4890场效应管,KNP4890A-KIA MOS管
KNP4890A场效应管漏源击穿电压900V，漏极电流9A，采用先进的平面加工技术制造，低导通电阻RDS（ON）=1.2Ω，低栅极电荷，能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；快速恢复体二极管，适用于高频开关电路，快速反向恢复特性，降低开关损耗并提升效率；广泛...www.kiaic.com/article/detail/5849.html 2025-08-11
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逆变器mos管,30a500v场效应管,8150场效应管,KNH8150A-KIA MOS管
KNH8150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流30A，采用先进的平面加工技术制造，?低导通电阻RDS(开启) 150mΩ（典型值）@VGS=10V，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷使开关损耗最小化；坚固的多晶硅栅极工艺，性能优越、?适合高集成度电路设计；广泛用于无...www.kiaic.com/article/detail/5846.html 2025-08-08
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电源管理mos,40v130a,2904场效应管现货,KNY2904A-KIA MOS管
KNY2904A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ（典型值）@VGS=10V，最大限度地降低导通电阻，减少开关损耗，低交叉失真，高效稳定；高输入阻抗和跨导?，实现快速切换，100%雪崩测试以及改进的dv/dt能力，坚固可靠，广泛用于PWM...www.kiaic.com/article/detail/5843.html 2025-08-07
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监视器应用,20a600v场效应管,KNF7160A参数现货-KIA MOS管
KNF7160A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流20A，采用专有平面新技术制造，高输入阻抗、低噪声，?极低导通电阻RDS（ON）0.35Ω（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低栅极电荷，减少开关损耗；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，高效低耗，稳定可靠；广泛...www.kiaic.com/article/detail/5840.html 2025-08-06
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直流直流转换器,190a40vmos管,KNB2404A场效应管参数-KIA MOS管
KNB2404A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流190A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，减少开关损耗，高效低耗；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快、?高雪崩电流，在高电压或大电流条件下稳定可靠，无铅环保型设备；广泛应...www.kiaic.com/article/detail/5837.html 2025-08-05