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60r380场效应管,超结mos,600v11a,KLF60R380B参数-KIA MOS管
KLF60R380B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流11A，采用KIA先进的超级结技术制造，有效降低导通损耗，提供卓越的开关性能，低?导通电阻RDS(开启) 0.34Ω，低栅极电荷33nC，高效低耗；还具有高耐用性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，在雪崩模式和...www.kiaic.com/article/detail/6000.html 2025-10-29
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830场效应管,500vmos,to252,KIA830HD参数引脚图-KIA MOS管
KIA830HD场效应管漏源电压500V，漏极电流5A，低导通电阻RDS(开启) 1.0Ω，最大限度地减少导电损耗，提高效率；器件具有低电阻和低栅极电荷的特点，符合RoHS环保要求，稳定可靠，在峰值电流或脉冲宽度方面，都能够表现出卓越的性能；830场效应管可以替代irf830、...www.kiaic.com/article/detail/5997.html 2025-10-28
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70n06场效应管参数,60v70a,to263,KIA70N06-KIA MOS管
KIA70N06场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流70A，采用KIA专有的平面条状DMOS技术制造，技术经过专门优化，有效降低导通状态电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩模式和换向模式下承受高能量脉冲。70n06场效应管低导通电阻RDS(开启) 0.015Ω，最大限度地减少导电...www.kiaic.com/article/detail/5994.html 2025-10-27
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65n06场效应管参数,60v65a,to220,KIA65N06-KIA MOS管
KIA65N06场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流65A，采用特有的平面条状DMOS技术制造，经过专门优化，有效降低导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩模式和换向模式下承受高能量脉冲。65n06具有低导通电阻RDS(开启) 0.016Ω，以及低栅极电荷、低漏电以及快速开关...www.kiaic.com/article/detail/5991.html 2025-10-24
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60r380,600v超结mos,KIA60R380DS场效应管参数-KIA MOS管
KIA60R380DS场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流11A，采用先进的超结技术制造，经过专门优化，可有效降低导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩模式和换向模式下承受高能量脉冲。60r380具有低导通电阻RDS(开启) 0.34Ω，以及低栅极电荷、高耐用性、快速开关能...www.kiaic.com/article/detail/5988.html 2025-10-23
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350v场效应管,6035场效应管,to220,KIA6035AP参数-KIA MOS管
KIA6035AP场效应管漏源击穿电压350V，漏极电流11A，采用先进的平面条纹DMOS技术制造，低导通电阻RDS(开启) 0.6Ω，有效降低导通状态电阻，提供卓越的开关性能；并在雪崩模式和换向模式下承受高能量脉冲。还具有低栅极电荷、高耐用性、快速开关能力、指定的雪崩...www.kiaic.com/article/detail/5985.html 2025-10-22
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50n06d,50n06场效应管参数引脚图,KIA50N06D-KIA MOS管
KIA50N06D场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(开启) 18mΩ，开关速度快，导通电阻低，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有超低栅极电荷（典型30nC）、低反向传输电容、快速开关能力以及指定100%雪崩能量、改进的dv/dt能力，在运行中高效...www.kiaic.com/article/detail/5982.html 2025-10-21
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供电mos管,50n06,50a60v,KIA50N06BP场效应管-KIA MOS管
电机控制器mos管KIA50N06BP漏源击穿电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(开启) 10.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，降低功耗、提升效率；低电流以减少导电损耗、高雪崩电流，高效稳定；无铅和绿色设备，环保可靠；广泛应用于UPS、电源管理、电池管理系统等；封...www.kiaic.com/article/detail/5561.html 2025-10-20
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50n06场效应管参数,60v50a,to252,KIA50N06CD-KIA MOS管
50n06场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用KIA半导体LVMosfet技术制造，低导通电阻RDS(开启) 11mΩ，通过优化工艺和单元结构设计，有效降低导通状态电阻，显著提升开关性能；具有低栅极电荷、低交叉导通电流、快速开关、增强dv/dt响应能力，在运行中高效...www.kiaic.com/article/detail/5979.html 2025-10-20
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50n03场效应管,30v50a,to252,KIA50N03CD参数资料-KIA MOS管
50n03场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流50A，极低导通电阻RDS(开启) 6.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、低交叉电流、快速开关特性以及100%经雪崩测试、提升dv/dt性能，在运行中高效稳定可靠；广泛应用于PWM应用、电源管理、...www.kiaic.com/article/detail/5976.html 2025-10-17
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电池保护mos,20v85a,3302场效应管,KIA3302AD参数-KIA MOS管
KNP1906A场效应管漏源击穿电压20V，漏极电流85A，采用先进沟槽工艺，实现优异的导通电阻(RDS,ON)、低栅极电荷及2.5V低栅极电压工作特性；具有极低导通电阻RDS(开启) 3.9mΩ，最大限度地减少导电损耗；高功率与大电流承载能力，高效稳定、无铅产品认证，优质环保...www.kiaic.com/article/detail/5973.html 2025-10-16
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2n65场效应管,650v2a,to252,KIA2N65HD参数引脚图-KIA MOS管
KIA2N65HD场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流2A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术制造，可显著降低导通电阻、提升开关性能，并在雪崩模式和换向模式下具备优异的高能脉冲耐受能力；低导通电阻RDS(开启) 4.3Ω，最大限度地减少损耗；具有低栅极电荷（典型值6.5nC）...www.kiaic.com/article/detail/5970.html 2025-10-15
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2n60场效应管参数引脚图,600v2a,KIA2N60HP-KIA MOS管
KIA2N60HP场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流2A，低导通电阻RDS(开启) 4.1Ω，最大限度地减少导电损耗；具有低栅极电荷（典型值9nC）、高耐用性、快速切换能力，高效低耗；指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；专为高压、高速的功率开关应用而设计，例如...www.kiaic.com/article/detail/5967.html 2025-10-14
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100n03场效应管参数,30v90a,KIA100N03AD参数-KIA MOS管
KIA100N03AD场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，采用KIA半导体的先进平面条纹DMOS技术制造，极低?RDS(on)=3.3mΩ，最小化通态电阻，提供了优越的开关性能；100n03场效应管?在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲，具有增强的dv/dt能力、快速切换等特性，...www.kiaic.com/article/detail/5964.html 2025-10-13