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3503mos场效应管现货,30v70a,KCY3503S参数-KIA MOS管
KCY3503S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流70A；采用高级沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.6mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；低栅极电荷、高电流容量、开关速度快，性能高效稳定；符合RoHS和无卤素标准，品质可靠环保；广泛应用于电脑电源管理、...www.kiaic.com/article/detail/5955.html 2025-10-09
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电机驱动mos,3010场效应管,to263封装,KCB3010A参数-KIA MOS管
KCB3010A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A，采用先进SGT技术制造，先进的双沟道技术降低导通损耗、提高开关性能，极低导通电阻RDS(开启) 4.0mΩ，高效低耗；具有快速切换、低栅极电荷、低反向传输电容、雪崩强度高，在各种应用中稳定可靠，适用于电机驱...www.kiaic.com/article/detail/5952.html 2025-09-30
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200v130a场效应管,2920mos管,to247封装,KCM2920A参数-KIA MOS管
KCM2920A场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流130A，采用?SGT MOSFET工艺制造，新型沟槽技术，低导通电阻RDS(开启) 9.0mΩ，低栅极电荷，最小化开关损耗、提高效率；快速恢复体二极管，开关特性好、反向恢复时间短，稳定可靠，广泛应用于高频开关和同步整流、d...www.kiaic.com/article/detail/5949.html 2025-09-29
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2908场效应管,2908mos管参数,to263封装,KCB2908A-KIA MOS管
KCB2908A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术设计，极低导通电阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的栅极电荷，可最大限度地减少导电损失，减少开关损耗；具有高坚固性、快速切换，提高效率；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；广泛应用...www.kiaic.com/article/detail/5940.html 2025-09-25
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绝缘栅型场效应管和结型场效应管详解-KIA MOS管
结型场效应管（JFET）、绝缘栅型场效应管（MOSFET），结型场效应管分为N沟道和P沟道；绝缘栅型分为增强型和耗尽型（N沟道和P沟道）。JFET和MOSTFET之间的主要区别在于，通过JFET的电流通过反向偏置PN结上的电场引导，而在MOSFET中，导电性是由于嵌入在半导体上...www.kiaic.com/article/detail/5938.html 2025-09-25
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充电器mos管,2904mos,to263封装,KCB2904A场效应管-KIA MOS管
KCB2904A场效应管漏源击穿电压45V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS（ON）2mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，减少开关损耗；具有低功率损耗，高功率密度，提升最大电流承载能力，易于并联，优异的低Ciss特性，在高频应用中更快地响应...www.kiaic.com/article/detail/5935.html 2025-09-22
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2n7002场效应管参数,2n7002引脚图,资料-KIA MOS管
漏源电压（Vds）：60V（最大值）连续漏极电流（Id）：115mA（典型值）栅源阈值电压（Vgs th）：1V至2.5V（测试条件250pA）www.kiaic.com/article/detail/5932.html 2025-09-19
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场效应管内部构造和工作原理详解-KIA MOS管
MOS管的结构核心是“绝缘层隔离栅极与沟道”，具体如下（以N沟道MOS管为例）：衬底：通常是P型半导体（也有N型衬底）；绝缘层：在衬底表面生长一层极薄的氧化硅（SiO2），厚度仅几十到几百埃（1埃=10-10米），起绝缘作用；www.kiaic.com/article/detail/5930.html 2025-09-19
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电源切换mos,3310场效应管,to263封装,KCB3310A参数-KIA MOS管
KCB3310A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流90A，采用先进的SGT技术制造，?极低导通电阻RDS（导通）仅为5mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快、?卓越的稳定性和均匀性、快速切换和软恢复，高效可靠，适...www.kiaic.com/article/detail/5929.html 2025-09-18
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适配器充电器mos,1000v场效应管,KNP43100A参数引脚图-KIA MOS管
KNP43100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流4A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2Ω，低栅极电荷最小化开关损耗，在承受高电压和高电流方面表现出色；低反向传输电容，开关速度快，快速恢复体二极管，高效率低损耗，符合RoHS标准，稳定可靠；广泛应用于适配器、充...www.kiaic.com/article/detail/5926.html 2025-09-17
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充电mos,1000v场效应管,to220f封装,KNF41100A参数-KIA MOS管
KNF41100A超高压场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流2A，低导通电阻RDS(开启) 9.6Ω，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷最小化开关损耗、高效低耗；快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能，提高器件的开关速度和效率，稳定可靠，符合RoHS，环保无铅；...www.kiaic.com/article/detail/5923.html 2025-09-16
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电动工具mos,2906场效应管参数,60v130a,KND2906A-KIA MOS管
KND2906A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 5.5mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快，性能优越；无铅环保设备，优质可靠，?广泛应用于电源、电动工...www.kiaic.com/article/detail/5920.html 2025-09-12
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电源切换mos,2908场效应管,to263封装mos,KNB2908B-KIA MOS管
KNB2908B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，高密度电池设计，极低导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有完全表征雪崩电压和电流、稳定性和均匀性好，EAS高，抗冲击能力强、性能优越，广泛应...www.kiaic.com/article/detail/5917.html 2025-09-11
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600v场效应管,600v22a,to220f封装,KLF60R170B参数-KIA MOS管
KLF60R170B漏源击穿电压600V，漏极电流22A，n沟道多外延Super-JMOSFET结合了高压耐压与低导通电阻的特性，?低导通电阻RDS(on) 150mΩ，超低栅极电荷30.2nc，最大限度地减少导电损耗，提高系统效率。具备超快切换，适用于高频开关，100%雪崩测试、改进的dv/dt能...www.kiaic.com/article/detail/5914.html 2025-09-10