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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 972 个

  • 电机mos,12a900v场效应管,to247封装,KNM6390A参数-KIA MOS管

    KNM6390A场效应管漏源击穿电压900V，漏极电流12A，采用高级平面工艺制造，?低导通电阻RDS（ON）0.75Ω，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷最小化开关损耗，提高系统效率；具有低电荷，低反向传输电容，开关速度快，加固多晶硅栅极结构，?稳定可靠；广泛应用...

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    www.kiaic.com/article/detail/5911.html         2025-09-09

  • 600v24a mos,to247封装,KLM60R135BD场效应管参数-KIA MOS管

    KLM60R135BD场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流24A，采用多层外延工艺的超结MOS，有效降低导通电阻Rds(on)和Qg，提高效率；极低导通电阻RDS（ON）110mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷Qg 46nC，减少开关损耗；具有高耐用性、超快开关速度以及100%雪崩测...

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    www.kiaic.com/article/detail/5908.html         2025-09-05

  • 60r090mos参数,600v mos管,KLM60R090B场效应管参数-KIA MOS管

    KLM60R090B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流38A，是采用多层外延工艺的超结MOS，内阻低、抗冲击能力强，高效低耗；低导通电阻RDS（ON）80mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷Qg 52nC，减少开关损耗、提高系统效率；具有高耐用性、超快开关速...

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    www.kiaic.com/article/detail/5905.html         2025-09-04

  • 音响功放mos管,500v13a,KNF6450B场效应管参数资料-KIA MOS管

    音响功放专用场效应管KNF6450B漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.35Ω，低导通电阻，最大限度地减少导通损耗；具备快速切换特性，实现快速切换电源，高效率低损耗；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试，稳定可靠；适用于音响功放、适配...

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    www.kiaic.com/article/detail/5462.html         2025-09-03

  • 适配器充电器mos,500v mos,to220,​​KNP6450B场效应管-KIA MOS管

    KNP6450B场效应漏源电压500V，漏极电流13A，低导通电阻RDS(on) 0.35Ω，最大限度地减少导通损耗，高效率低损耗，性能优越；具备快速切换特性，实现快速切换电源；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试，稳定可靠；适用于音响功放、适配器和充电...

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    www.kiaic.com/article/detail/5902.html         2025-09-03

  • 60R170,600v22a场效应管,to220封装,KLP60R170B参数-KIA MOS管

    KLP60R170B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET，漏源击穿电压600V，漏极电流22A，低导通电阻RDS(on) 150mΩ，超低栅极电荷30.2nc，最大限度地减少导电损耗，减少功耗提高系统效率；具有高耐压特性和低电阻特性，超快切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，抗冲击能...

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    www.kiaic.com/article/detail/5899.html         2025-09-02

  • 场效应管的夹断电压是什么？-KIA MOS管

    夹断电压VGS(off)（或VP）夹断电压是耗尽型场效应管（FET）的关键参数。当栅源电压VGS等于夹断电压VGS(off)时，漏极电流将降至为零。

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    www.kiaic.com/article/detail/5894.html         2025-09-01

  • 3404场效应管,3404pmos,dfn5*6,​KPY3404A参数-KIA MOS管

    KPY3404A场效应管漏源击穿电压-40V，漏极电流-85A，使用先进的高单元密度沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(on) 5mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减少功耗并提高效率；优异的CdV/dt效应衰减，?100% EAS保障、绿色设备可用，稳定可靠；高输入阻抗...

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    www.kiaic.com/article/detail/5893.html         2025-08-28

  • 逆变器mos,irfp064参数代换,60v100a场效应管,KNM3206B-KIA MOS管

    irfp064场效应管代换型号KNM3206B?漏源击穿电压60V，漏极电流100A，使用先进平面工艺制造，高密度单元设计实现极低导通电阻RDS(on) 7.4mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减少功耗并提高效率；环氧树脂通过UL 94 V-0阻燃认证、无卤素，稳定可靠?...

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    www.kiaic.com/article/detail/5890.html         2025-08-27

  • 充电mos,6a1000v场效应管,to220,​KNP45100A参数-KIA MOS管

    KNP45100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流6A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快，性能卓越；快速恢复体二极管，开关特性好、反向恢复时间短?，符合RoHS，高坚固性，稳定可靠；广...

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    www.kiaic.com/article/detail/5887.html         2025-08-26

  • irf3205场效应管代换,60v110a,​KNP3106N参数资料-KIA MOS管

    irf3205场效应管代换型号KNP3106N?漏源击穿电压60V，漏极电流110A ，采用新型平面技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 7mΩ，减少开关损耗，提高效率；具有卓越的性能，?能够实现快速切换，提高系统效率，经过100%雪崩测试，保证了器件的稳定性和可靠性，改进的...

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    www.kiaic.com/article/detail/5884.html         2025-08-25

  • 60r180场效应管,20a600v,to220mos,​KLP60R180BD-KIA MOS管

    60r180场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流20A ，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 160mΩ，低栅极电荷Qg=33.5nC，减少开关损耗，提高效率；具备高耐用性、超快开关速度、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，高效稳定；在电池管理系统、负载开关、无...

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    www.kiaic.com/article/detail/5881.html         2025-08-22

  • 60r280场效应管,600vmos管,to220f mos,KLF60R280B-KIA MOS管

    KLF60R280B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流15A，采用新型沟槽工艺制造，性能优越；低导通电阻RDS(开启) 240mΩ，减少导电损失，低栅极电荷（典型值Qg=19.6nC），减少开关损耗；具有高耐用性、快速开关、100%经雪崩测试、改进的dv/dt性能，高效稳定可靠；封...

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    www.kiaic.com/article/detail/5878.html         2025-08-21

  • 60r280场效应管,600vmos管,​15a600v,KLD60R280B参数-KIA MOS管

    KLD60R280B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流15A，采用新型沟槽工艺制造，性能优越；低导通电阻RDS(开启) 240mΩ，减少导电损失，低栅极电荷（典型值Qg=19.6nC），减少开关损耗；具有高耐用性、快速开关、100%经雪崩测试、改进的dv/dt性能，高效稳定可靠；封...

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    www.kiaic.com/article/detail/5870.html         2025-08-20

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