电机驱动mos,9150场效应管,500v40a,KNH9150A参数-KIA MOS管

KNH9150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流40A，采用先进平面工艺制造，低导通电阻RDS(on) 88mΩ，能够最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷最小化开关损耗；具有坚固的多晶硅栅极结构，稳定可靠，提供卓越的开关性能；广泛应用于BLDC电机驱动器、电动焊机、高...

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www.kiaic.com/article/detail/6037.html         2025-11-14

bldc mos,​3530场效应管,300v70a,KNH3530A参数-KIA MOS管

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KNH3530A场效应管漏源击穿电压300V，漏极电流70A，采用专利平面技术制造，?低导通电阻RDS(on) 45mΩ，能够最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，降低开关损耗；?具有坚固的多晶硅栅极结构，稳定可靠?，提供卓越的开关性能；在BLDC电机驱动器、电焊机、高效 ...

www.kiaic.com/article/detail/6034.html         2025-11-13

3206场效应管参数,3206mos,60v110a,​​KNH3206A-KIA MOS管

KNH3206A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流110A，低导通电阻RDS(on)6.5mΩ，能够最大限度地减少导电损耗，具备用于快速开关应用的低栅极电荷，优化的BVDSS能力，最小化开关损耗，高效率低损耗，提供卓越的开关性能；在锂电池保护板、电源、DC-DC转换器中广泛应...

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www.kiaic.com/article/detail/6031.html         2025-11-12

ao3400场效应管参数,KIA3400场效应管代换-KIA MOS管

ao3400场效应管代换型号KIA3400漏极电流4.8A，漏源击穿电压30V，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作，减少开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、绿色环保，稳定可靠；适用于电源管理、开关控制、功率放大、高频...

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www.kiaic.com/article/detail/6026.html         2025-11-11

2906场效应管,整流mos,​60v130a,KNH2906B参数-KIA MOS管

KNH2906B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；采用KIA半导体尖端技术制造，具有?快速开关响应、低导通电阻、低栅极电荷，尤其在雪崩击穿特性方面表现卓越；100% 经雪崩击穿测试、dv/dt能...

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www.kiaic.com/article/detail/6025.html         2025-11-10

车载逆变器mos,500v20a,KNF7150A场效应管参数资料-KIA MOS管

KNF7150A?场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，采用专有平面技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 0.24Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，有效降低开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、配备快速恢复体二极管，可以有效减少反向恢复时间，高效低耗，稳定...

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www.kiaic.com/article/detail/6022.html         2025-11-07

电机控制mos,​250v50a场效应管,to220f封装,KNF3725A参数-KIA MOS管

KNF3725A场效应管漏源击穿电压250V，漏极电流50A，采用独家平面技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 45mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，有效降低开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、配备快速恢复体二极管，可以有效减少反向恢复时间，提高开关速度，稳定...

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www.kiaic.com/article/detail/6019.html         2025-11-06

7n65场效应管代换,650v7a,​KND4665B参数现货-KIA MOS管

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7n65场效应管代换型号KND4665B漏源击穿电压为650V，漏极电流7A，能够承受较大的电压压力及具备良好的导电性能；极低导通电阻RDS(开启) 1.1Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷最小化，有效降低开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、配备快速恢复体二极管，可...

www.kiaic.com/article/detail/6016.html         2025-11-05

nce8295a参数,8295场效应管,82v95a,​NCE8295AD资料-KIA MOS管

NCE8295AD场效应管核心参数VDS=82V，ID=95A，导通态漏源阻抗(RDS(ON))典型值：6mΩ；采用先进的沟槽工艺与设计，以低栅极电荷实现卓越的导通态漏源阻抗；适用于PWM、负载开关及通用场景。该器件具有高密度单元设计实现超低Rdson，以及雪崩电压与电流参数全面表...

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www.kiaic.com/article/detail/6014.html         2025-11-05

4n65场效应管参数,650v4a,to252,KND4365A代换-KIA MOS管

4n65场效应管代换型号KND4365A漏源击穿电压为650V，漏极电流4A，极低导通电阻RDS(开启) 2Ω，最大限度地减少导电损耗，有效降低损耗，提高电路效率；还具有快速切换能力、经过100%雪崩测试、改进的dv/dt能力在电路切换时快速响应，能够在高频率下稳定工作，性能...

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www.kiaic.com/article/detail/6013.html         2025-11-04

600v4a场效应管,600vmos,to252,​KND4360A参数资料-KIA MOS管

KND4360A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流4A，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.9Ω，最大限度地减少导电损耗，表现出卓越的导通特性；还具有快速切换能力，提高效率，经过100%雪崩测试、改进的dv/dt能力能够更好地应对电路中的快速变化，能...

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www.kiaic.com/article/detail/6009.html         2025-11-03

3706场效应管,60v50a mos,to252,KND3706A参数-KIA MOS管

KND3706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用先进的高密度沟槽技术制造，为多数同步降压转换器应用提供优异的RDS（导通）和栅极电荷性能。具有极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；超低栅极电荷、100%EAS认证、卓越的Cdv/d...

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www.kiaic.com/article/detail/6006.html         2025-10-31

80R240场效应管,800Vmos管,to220f,KLF80R240B参数-KIA MOS管

KLF80R240B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET，漏源击穿电压800V，漏极电流18A，低导通电阻RDS(on) 205mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减少功耗并提高效率；具有高耐压特性和低电阻特性，超快切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，抗冲击能力强...

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www.kiaic.com/article/detail/5896.html         2025-10-30

80r240,800v18a,KLM80R240B场效应管参数-KIA MOS管

KLM80R240B超结MOSFET是一种采用多层外延工艺的功率半导体器件，通过优化芯片结构实现低内阻、高抗浪涌能力和快速开关特性。80r240?漏源击穿电压800V，漏极电流18A，低导通电阻RDS(on) 205mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；还具有高耐压...

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www.kiaic.com/article/detail/6003.html         2025-10-30